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公开(公告)号：CN111269695A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010132809.5
申请日：2020-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用，所述花生状氧化硅磨粒组成及质量百分比为：在花生状氧化硅磨粒中，W:SiO2比例为0.1-0.7wt.％，花生状氧化硅磨粒为非球状的花生状。花生状氧化硅磨粒的制备方法，包括活性硅酸溶液的制备、球形氧化硅种子混合液制备、钨酸钠水溶液滴加、钨元素诱导制备花生状氧化硅磨粒。与传统球形氧化硅磨粒相比，本发明花生状氧化硅磨粒对氧化锆陶瓷盖板进行抛光，可有效地提高材料去除率，并降低氧化锆陶瓷盖板的表面粗糙度。其中，与传统的纯球形氧化硅磨粒相比，钨元素质量分数为0.5wt.％的花生状氧化硅磨粒抛光氧化锆陶瓷盖板的材料去除率提高了38.82％。
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公开(公告)号：CN111748318A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010735715.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 上海大学
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , C01B33/141
Abstract: 本发明公开了一种爆米花状硅溶胶、其制备方法及其应用，该爆米花状硅溶胶纳米粒子为球形，粒径大小在20～150nm，表面具有明显的凹凸不平，凹凸处高度为5～20nm。该爆米花状硅溶胶的制备方法是分两步进行，首先通过球形颗粒表面的定向自组装方式制备不规则的起始晶种，接着是起始晶种的进一步生长，晶种的进一步生长使表面更加致密，凹凸部分更加牢固。本发明采用爆米花状的硅溶胶作为磨粒制成的抛光液，在抛光过程中颗粒与加工工件形成多点接触，摩擦系数增大，抛光速率高。同时，因为形成多点接触，载荷可以有效分散，从而导致较浅的压痕，有利于改善表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN116299080A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310075527.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元，包括：第一层金属贴片、与第一层金属贴片相贴设置的第一介质基板、与第一介质基板相贴设置的第二层金属地、与第二层金属地相贴设置的第二介质基板、与第二介质基板相贴设置的第三层金属贴片；第一层金属贴片包括第一传感横臂与第二传感横臂，其中第一传感横臂与第二传感横臂相互平行且间隔设置，第一传感横臂与第二传感横臂之间形成一条亚波长狭缝；第三层金属贴片包括微带馈线与谐振结构，且第三层金属贴片为对称结构。根据本发明，具有良好的动态范围和较低损耗，具有对称的结构可以有效抑制高阶谐波带来的影响实现宽频谱的工作。
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公开(公告)号：CN112480868B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
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公开(公告)号：CN112480868A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
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