-
公开(公告)号：CN113502128B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110607372.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液，是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中，形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间，从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比，本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400％，并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111269695A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010132809.5
申请日：2020-02-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种花生状氧化硅磨粒及其制备方法和应用，所述花生状氧化硅磨粒组成及质量百分比为：在花生状氧化硅磨粒中，W:SiO2比例为0.1-0.7wt.％，花生状氧化硅磨粒为非球状的花生状。花生状氧化硅磨粒的制备方法，包括活性硅酸溶液的制备、球形氧化硅种子混合液制备、钨酸钠水溶液滴加、钨元素诱导制备花生状氧化硅磨粒。与传统球形氧化硅磨粒相比，本发明花生状氧化硅磨粒对氧化锆陶瓷盖板进行抛光，可有效地提高材料去除率，并降低氧化锆陶瓷盖板的表面粗糙度。其中，与传统的纯球形氧化硅磨粒相比，钨元素质量分数为0.5wt.％的花生状氧化硅磨粒抛光氧化锆陶瓷盖板的材料去除率提高了38.82％。
-
公开(公告)号：CN111748318A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010735715.7
申请日：2020-07-28
Applicant: 上海大学
IPC: C09K3/14 , C09G1/02 , C01B33/141
Abstract: 本发明公开了一种爆米花状硅溶胶、其制备方法及其应用，该爆米花状硅溶胶纳米粒子为球形，粒径大小在20～150nm，表面具有明显的凹凸不平，凹凸处高度为5～20nm。该爆米花状硅溶胶的制备方法是分两步进行，首先通过球形颗粒表面的定向自组装方式制备不规则的起始晶种，接着是起始晶种的进一步生长，晶种的进一步生长使表面更加致密，凹凸部分更加牢固。本发明采用爆米花状的硅溶胶作为磨粒制成的抛光液，在抛光过程中颗粒与加工工件形成多点接触，摩擦系数增大，抛光速率高。同时，因为形成多点接触，载荷可以有效分散，从而导致较浅的压痕，有利于改善表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN112480868B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
-
公开(公告)号：CN113502128A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110607372.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种原位形成微纳气泡抛光液、其制备方法及其应用。本发明的原位形成微纳气泡的抛光液，是将硼氢化钠引入碱性硅溶胶抛光液中，形成新型的碱性抛光液。利用抛光区域的摩擦热来催化硼氢化钠的水解反应。并因晶片与抛光垫之间极小的间隙以及气泡极短的生存时间，从而在抛光区域形成分布不一的微米级以及纳米级氢气气泡。与常规硅溶胶相比，本发明原位形成微纳气泡的抛光液对二氧化硅晶片的材料去除率提高了400％，并可有效降低二氧化硅晶片的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN112480868A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011242856.1
申请日：2020-11-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种棒状碳包覆氧化硅磨粒、其制备方法及其应用，属于表面抛光加工领域，具体涉及一种棒状碳包覆氧化硅磨粒及其制备方法与应用。本发明的棒状碳包覆氧化硅磨粒，先由双体系微乳液模板法制得棒状氧化硅磨粒，随后通过冷冻干燥及高温煅烧得到碳包覆的结构。本发明新型抛光磨粒，相比于传统球形氧化硅磨粒，在实现更低的氧化锆陶瓷表面粗糙度的同时，因抛光时的接触模式由点接触变为线接触，增大了磨粒与氧化锆陶瓷之间的接触面积，从而提高抛光速率，材料去除率同比增加达到71％，可实现更好的抛光效果。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.015 seconds)
