公开(公告)号：CN104129993A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410327202.7

申请日：2014-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  刘怡茵 ,  钟史伟 ,  朱欣然 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明旨在开发一种在氮气气氛下烧结的KNbO3基PTC陶瓷材料，使其大幅降低烧结温度后仍保持良好的PTC效应，该材料具体的配方为KNbO3+xM+aBaCO3+bAl2O3+cGeO2,其中,M为含有钒元素的氧化物或无机盐粉体,x=0~0.10,a=0~0.10;Al2O3和GeO2为烧结助剂，其含量b,c=0.0001~0.05。采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气保护气氛中950~1550℃下保温10~240min烧结，可获得KNbO3基PTC材料。该KNbO3基材料掺入V2O5后烧结温度降低70℃，且PTC效应良好，升阻比Rmax/Rmin达到104，转变温度Tb均在40℃左右，最小电阻小于104Ω·cm，电阻温度系数α>10%/℃。

公开(公告)号：CN103922736A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410110312.8

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  王生伟 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC-PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1-x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。

公开(公告)号：CN101303936B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810039998.0

申请日：2008-07-01

Applicant: 上海大学 ,  上海飞乐股份有限公司

Inventor： 朱兴文 ,  姜文中 ,  周晓 ,  宣祥光 ,  袁为立

IPC: H01G9/055 ,  H01G9/045

Abstract: 本发明涉及一种提高中低压铝腐蚀电极箔(阳极箔)比电容量的方法，即采用高介电常数介质材料对腐蚀后的铝箔进行涂覆。属电子材料工艺技术领域。按5～20重量份的钛酸正四丁脂，80～95重量份的无水乙醇和0.01～0.80重量份的醋酸锌称量，将醋酸锌与无水乙醇混合，搅拌至完全溶解，然后加入钛酸正四丁脂，继续搅拌制得混合溶液；将化成后烘干的铝电极箔浸入混合溶液中5～20s，然后以0.5～3cm/s的速度提拉出液面，烘干；重复2～7次；将涂覆好的铝箔置于马弗炉中，加热至350～600℃热处理，冷却即得到与高介电常数介质复合的中低压铝电极箔。

公开(公告)号：CN101303936A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810039998.0

申请日：2008-07-01

Applicant: 上海大学 ,  上海飞乐股份有限公司

Inventor： 朱兴文 ,  姜文中 ,  周晓 ,  宣祥光 ,  袁为立

IPC: H01G9/055 ,  H01G9/045

Abstract: 本发明涉及一种提高中低压铝腐蚀电极箔(阳极箔)比电容量的方法，即采用高介电常数介质材料对腐蚀后的铝箔进行涂覆。属电子材料工艺技术领域。按5～20重量份的钛酸正四丁脂，80～95重量份的无水乙醇和0.01～0.80重量份的醋酸锌称量，将醋酸锌与无水乙醇混合，搅拌至完全溶解，然后加入钛酸正四丁脂，继续搅拌制得混合溶液；将化成后烘干的铝电极箔浸入混合溶液中5～20s，然后以0.5～3cm/s的速度提拉出液面，烘干；重复2～7次；将涂覆好的铝箔置于马弗炉中，加热至350～600℃热处理，冷却即得到与高介电常数介质复合的中低压铝电极箔。

公开(公告)号：CN106145933A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610406748.0

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  卢胤 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  钟史伟 ,  周晓 ,  姜文中

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明涉及一种高居里温度(Tc>190℃)低铅PTCR陶瓷材料制备方法，该方法采用以下材料：x(Bi1/2Na1/2)TiO3‑yPbTiO3‑(1‑x‑y)BaTiO3粉体；Nb2O5、La2O3、Sb2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；MnO2、MnCO3或Mn(NO3)2中的一种或多种为PTCR效应调节剂；Li2CO3、Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在N2气氛中1200‑1350℃下保温15～120分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料，其室温电阻率低至1×103Ω·cm，居里温度Tc在190～260℃，其居里温度和室温电阻率性能不仅能达到实用化要求，而且该材料中含铅量是传统的相同性能的PTCR陶瓷材料的15～25％，减少了其对人体和环境的危害。

公开(公告)号：CN103922741A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410110313.2

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  王生伟 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法，该体系材料的配方为：CeO2+aNa2CO3+bK2CO3+cD+dM+eBi2O3，其中，a,b=0.01~0.30；D为添加元素，是Nb、Sb、La等中的至少一种元素，其含量c=0.0003~0.01；M为Al2O3、SiO2中的至少一种，含量d=0~0.03；Bi2O3含量e=0.10~0.80。该材料以传统的陶瓷工艺制备，在流动氮气中950~1200℃烧结10~120分钟制得。该新型陶瓷材料的PTC效应明显，升阻比达到104，电阻非线性系数在20%/℃以上，性能接近传统的BaTiO3系PTCR热敏电阻陶瓷材料。

公开(公告)号：CN109928747B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201910222396.7

申请日：2019-03-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  赖施施 ,  陈豫仁 ,  余吉梅 ,  周晓 ,  姜文中

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/472 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种提高PTCR陶瓷材料温度系数和NTC效应的方法，采用以下配方：(100‑x)mol％的I#料+xmol％的II#料+yMnO2+zWO3,其中，x＝0～50，y＝0.04～0.07mol％，z＝0.00～0.20mol％，采用Nb2O5、La2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中至少一种为半导化剂，以Al2O3或SiO2为烧结助剂；采用的工艺：将上述材料压制的圆片在大气气氛中1230‑1350℃下保温10‑30分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后圆片进行研磨，涂覆电极，制得PTCR陶瓷材料。该发明能有效提高线性系数α及提高NTC效应，能够有效改善性能老化。

公开(公告)号：CN109928747A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910222396.7

申请日：2019-03-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  赖施施 ,  陈豫仁 ,  余吉梅 ,  周晓 ,  姜文中

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/472 ,  C04B35/626 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种提高PTCR陶瓷材料温度系数和NTC效应的方法，采用以下配方：(100-x)mol％的I#料+xmol％的II#料+yMnO2+zWO3,其中，x＝0～50，y＝0.04～0.07mol％，z＝0.00～0.20mol％，采用Nb2O5、La2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中至少一种为半导化剂，以Al2O3或SiO2为烧结助剂；采用的工艺：将上述材料压制的圆片在大气气氛中1230-1350℃下保温10-30分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后圆片进行研磨，涂覆电极，制得PTCR陶瓷材料。该发明能有效提高线性系数α及提高NTC效应，能够有效改善性能老化。

公开(公告)号：CN106278250A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610749886.9

申请日：2016-08-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  姜亦杨 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/658 ,  H01C7/023

Abstract: 本发明涉及一种大气氛下烧结的高居里温度、高升阻比、低室温电阻率无铅正温度系数热敏电阻陶瓷的制备方法的制备方法，该方法采用以下配方：x(Bi1/2Na1/2)TiO3- yCaTiO3-(1-x-y)BaTiO3+aLi2CO3+bSb2O3粉体，其中，x=0.01~0.12,y=0~0.20,a=0～0.5 mol%,b=0～0.20 mol%，Nb2O5、La2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在大气气氛中1250-1380℃下保温10～30分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料的室温电阻率低至30Ω•cm，居里温度Tc高达155℃，升阻比高达106以上。该无铅材料已达到实用化要求。

公开(公告)号：CN103922736B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410110312.8

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  王生伟 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC?PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1?x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。