公开(公告)号：CN106145933A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610406748.0

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  卢胤 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  钟史伟 ,  周晓 ,  姜文中

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明涉及一种高居里温度(Tc>190℃)低铅PTCR陶瓷材料制备方法，该方法采用以下材料：x(Bi1/2Na1/2)TiO3‑yPbTiO3‑(1‑x‑y)BaTiO3粉体；Nb2O5、La2O3、Sb2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；MnO2、MnCO3或Mn(NO3)2中的一种或多种为PTCR效应调节剂；Li2CO3、Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在N2气氛中1200‑1350℃下保温15～120分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料，其室温电阻率低至1×103Ω·cm，居里温度Tc在190～260℃，其居里温度和室温电阻率性能不仅能达到实用化要求，而且该材料中含铅量是传统的相同性能的PTCR陶瓷材料的15～25％，减少了其对人体和环境的危害。

公开(公告)号：CN104129993B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201410327202.7

申请日：2014-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  刘怡茵 ,  钟史伟 ,  朱欣然 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明旨在开发一种在氮气气氛下烧结的KNbO3基PTC陶瓷材料，使其大幅降低烧结温度后仍保持良好的PTC效应，该材料具体的配方为KNbO3+xM+aBaCO3+bAl2O3+cGeO2,其中,M为含有钒元素的氧化物或无机盐粉体,x=0~0.10, a=0~0.10;Al2O3和GeO2为烧结助剂，其含量b,c = 0.0001~0.05。采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气保护气氛中950~1550℃下保温10~240min烧结，可获得KNbO3基PTC材料。该KNbO3基材料掺入V2O5后烧结温度降低70℃，且PTC效应良好，升阻比Rmax/Rmin达到104，转变温度Tb均在40℃左右，最小电阻小于104Ω·cm，电阻温度系数α>10%/℃。

公开(公告)号：CN104129993A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410327202.7

申请日：2014-07-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  刘怡茵 ,  钟史伟 ,  朱欣然 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明旨在开发一种在氮气气氛下烧结的KNbO3基PTC陶瓷材料，使其大幅降低烧结温度后仍保持良好的PTC效应，该材料具体的配方为KNbO3+xM+aBaCO3+bAl2O3+cGeO2,其中,M为含有钒元素的氧化物或无机盐粉体,x=0~0.10,a=0~0.10;Al2O3和GeO2为烧结助剂，其含量b,c=0.0001~0.05。采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气保护气氛中950~1550℃下保温10~240min烧结，可获得KNbO3基PTC材料。该KNbO3基材料掺入V2O5后烧结温度降低70℃，且PTC效应良好，升阻比Rmax/Rmin达到104，转变温度Tb均在40℃左右，最小电阻小于104Ω·cm，电阻温度系数α>10%/℃。