公开(公告)号：CN103922741A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410110313.2

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  王生伟 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种CeO2系PTCR热敏陶瓷材料及其制备方法，该体系材料的配方为：CeO2+aNa2CO3+bK2CO3+cD+dM+eBi2O3，其中，a,b=0.01~0.30；D为添加元素，是Nb、Sb、La等中的至少一种元素，其含量c=0.0003~0.01；M为Al2O3、SiO2中的至少一种，含量d=0~0.03；Bi2O3含量e=0.10~0.80。该材料以传统的陶瓷工艺制备，在流动氮气中950~1200℃烧结10~120分钟制得。该新型陶瓷材料的PTC效应明显，升阻比达到104，电阻非线性系数在20%/℃以上，性能接近传统的BaTiO3系PTCR热敏电阻陶瓷材料。

公开(公告)号：CN103922736A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410110312.8

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  王生伟 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC-PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1-x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。

公开(公告)号：CN103922736B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410110312.8

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  王生伟 ,  刘怡茵 ,  张甜甜 ,  朱欣然 ,  沈思月 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 铌酸钾基V型PTC材料及其制备方法。本发明涉及一种在氮气氛下烧结的具有高电阻非线性系数的NTC?PTC（V型PTC）陶瓷材料及其制备方法。本发明的V型PTC陶瓷的化学分子式为K(1?x)MxNbO3，其中x=0.001~0.30，M=Ca、Ba、Sr中的至少一种；另掺1mol%~9mol%的Al2O3和1mol%~5mol%的GeO2。该材料采用传统的陶瓷制备工艺，在氮气中1000~1200℃烧结10~120min可获得V型PTC材料。该材料在转变温度Tb以上具有极好的PTC效应，升阻比最高达105,电阻非线性系数在20%/℃以上；在Tb以下，材料具有很大的NTC效应，在50℃的范围内，电阻可随温度下降4个数量级。