公开(公告)号：CN106145933A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610406748.0

申请日：2016-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  卢胤 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  钟史伟 ,  周晓 ,  姜文中

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/475

CPC classification number: C04B35/468 ,  C04B35/475 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/9607

Abstract: 本发明涉及一种高居里温度(Tc>190℃)低铅PTCR陶瓷材料制备方法，该方法采用以下材料：x(Bi1/2Na1/2)TiO3‑yPbTiO3‑(1‑x‑y)BaTiO3粉体；Nb2O5、La2O3、Sb2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；MnO2、MnCO3或Mn(NO3)2中的一种或多种为PTCR效应调节剂；Li2CO3、Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在N2气氛中1200‑1350℃下保温15～120分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料，其室温电阻率低至1×103Ω·cm，居里温度Tc在190～260℃，其居里温度和室温电阻率性能不仅能达到实用化要求，而且该材料中含铅量是传统的相同性能的PTCR陶瓷材料的15～25％，减少了其对人体和环境的危害。

公开(公告)号：CN106278250A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610749886.9

申请日：2016-08-29

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱兴文 ,  任慧茹 ,  牛伟鉴 ,  李晨 ,  姜亦杨 ,  姜文中 ,  周晓

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64 ,  H01C7/02

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/658 ,  H01C7/023

Abstract: 本发明涉及一种大气氛下烧结的高居里温度、高升阻比、低室温电阻率无铅正温度系数热敏电阻陶瓷的制备方法的制备方法，该方法采用以下配方：x(Bi1/2Na1/2)TiO3- yCaTiO3-(1-x-y)BaTiO3+aLi2CO3+bSb2O3粉体，其中，x=0.01~0.12,y=0~0.20,a=0～0.5 mol%,b=0～0.20 mol%，Nb2O5、La2O3、Sm2O3、Nd2O3化合物中的一种或多种为半导化剂；Al2O3和TiO2为烧结助剂，采用的工艺是：将上述所列材料压制的圆片在大气气氛中1250-1380℃下保温10～30分钟烧结，使其充分烧结和实现固相反应；对烧结后的圆片表面进行研磨，上电极，制得PTCR陶瓷材料。该陶瓷材料的室温电阻率低至30Ω•cm，居里温度Tc高达155℃，升阻比高达106以上。该无铅材料已达到实用化要求。