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公开(公告)号：CN118866962A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410837188.9
申请日：2024-06-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件及其制备方法，属于半导体技术和制造领域。所述MFIS型Fe‑FinFET器件包括：衬底、鳍式结构、第一氧化层、第二氧化层、源极区、源极电极、第一通孔、源极接触点、介质层、铁电层、栅极电极、第二通孔、栅极接触点、漏极区、漏极电极、第三通孔、漏极接触点和钝化保护层；本发明能够制备基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件，增强了栅极结构对沟道电导的控制，降低了漏电流以及器件的功耗，提高了器件的速度，有效缓解了短沟道效应，栅极长度的显著缩短为提高基于掺杂氮化铝薄膜的FeFET器件的集成度提供了可能性。
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公开(公告)号：CN118841444A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410935577.5
申请日：2024-07-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域，所述铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极电极、漏极电极、栅结构、钝化层、第一通孔、第二通孔、第三通孔、源极接触点、漏极接触点和栅极接触点，所述栅结构自下至上分别由所述势垒层上的p‑GaN层、铁电薄膜层和栅极电极堆叠构成；本发明能够制备铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件，实现增强和耗尽模式的切换，具有非常大的阈值电压调谐范围，且随电压扫扫描范围和脉冲参数的变化具有逆时针滞后，能进一步提高射频性能。
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公开(公告)号：CN118449480A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410562837.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种具有布拉格反射层的极化反转型兰姆波谐振器，包括：第一电极、第二电极和衬底，以及位于第一电极和第二电极之间呈交替周期分布的极化方向为正向和极化方向为反向的压电薄膜，以及在第二电极和衬底之间设有布拉格反射器层。本发明利用纵向和剪切体声波所耦合激发的兰姆波，确保声波在谐振器内部来回反射，而不是散射到基底中。同时还能减少结构共振模式引起的内部损耗。这让谐振器品质因数(Q值)有着更好的提升，从而提高了谐振器的整体性能，还较好的保留了其大机电耦合系数与灵活调谐的特性，从而使得谐振器保持较低的能量耗散以及更好的频率选择性。
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公开(公告)号：CN116761434A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310662618.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 上海大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的1T1C铁电存储器及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述1T1C铁电存储器包括：氧化物绝缘层、衬底、栅极电极、源极区、漏极区、漏极电极、源极电极、电容底电极、铁电层、电容顶电极、钝化保护层、源极接触点、栅极接触点、漏极接触点、电容底电极接触点和电容顶电极接触点；其中，所述氧化物绝缘层包括第一绝缘区域和第二绝缘区域；本发明能够制备基于Al1‑xXxN的1T1C存储器，提高1T1C铁电存储器的稳定性、可靠性和存储密度。
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公开(公告)号：CN119093890A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411174105.9
申请日：2024-08-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器，属于半导体器件技术领域，包括：由n层压电层层叠而成的压电薄膜；设置于压电薄膜顶部压电层的上电极，每隔m个电极，在压电薄膜顶部压电层上设置有梯形凹槽；设置于压电薄膜底部压电层的下电极，下电极采用平板电极，或是采用数量与上电极相对应下电极来驱动谐振器谐振。本发明设计的复合层兰姆波谐振器可以制备出高薄膜质量的掺钪浓度较高的氮化铝薄膜，同时在压电层没有电极覆盖的部分通过刻蚀形成梯形凹槽，通过调节梯形凹槽的角度来抑制S0模态和S1模态的带外杂散和实现光刻频率可调谐性，以及通过改变梯形凹槽的深度来实现模态转换，以此来实现无杂散模态、高k2eff以及小尺寸的兰姆波谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118868835A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410884907.2
申请日：2024-07-03
Applicant: 上海大学
IPC: H03H3/02 , H03H9/13 , H03H9/17 , G06F30/27 , G06F30/373 , G06N3/0499
Abstract: 本发明涉及一种不规则电极的生成方法、不规则电极的薄膜体声波谐振器，属于微机电(MEMS)技术领域，该生成方法包括：S1、在极坐标系中将多个随机振幅、随机相位的正弦波相叠加；S2、计算阻抗频率曲线中谐振频率点附近的杂散模态数量，设置波动阈值Δs，若是阻抗频率曲线的振幅S>Δs，则记为一处杂散模态，一个器件中，谐振点附近的杂散模态总数量记为M；S3、建立前馈神经网络，将S1得到的单个不规则多边形的坐标编码为一维向量V，作为输入层，将其对应的杂散模态的数量M，作为输出层；输出层和输入层在训练前将进行归一化操作，使之能够与神经网络的结构所匹配，使用adam优化器，优化目标设置为杂散模态的数量M最小，进行训练，得到不规则多边形与杂散模态数量的关系模型；用验证集进行验证，得到关系模型；S4、利用S3中验证后的关系模型生成一组新的不规则多边形，将生成的多边形作为薄膜体声波谐振器的电极形状，得到薄膜体声波谐振器用不规则电极。与现有技术相比，本发明所采用的不规则电极形状结构经验证能够有效地抑制横向驻波的生成，进而减少频谱中的杂散模态。
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公开(公告)号：CN118866963A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410837193.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFMFIS型Fe‑FinFET器件及其制备方法，属于半导体技术和制造领域。所述MFMFIS型Fe‑FinFET器件包括：衬底、鳍式结构、第一氧化层、第二氧化层、源极区、源极电极、第一通孔、源极接触点、介质层、第一铁电层、第一栅极电极、第二铁电层、第二栅极电极、第二通孔、栅极接触点、漏极区、漏极电极、第三通孔、漏极接触点和钝化保护层。与现有技术相比，本发明能够制备基于掺杂氮化铝薄膜的MFMFIS型Fe‑FinFET器件，均匀化铁电层角处的电场以及极化场，增加了铁电层上的电压降，减小了铁电层的死区，增强了器件的耐久性能，提高了器件的寿命。
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公开(公告)号：CN118693136A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410795403.3
申请日：2024-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H10B51/30
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌在衬底中，两者之间设有隔离区；源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；隔离区上设有铁电层、栅极电极，衬底上方生长有钝化保护层，源极电极、铁电层、栅极电极、漏极电极均在钝化保护层内部；钝化保护层内还在三个电极对应的位置分别开设有三个通孔，三个通孔内均填充导电材料，使得三个电极分别与钝化保护层外部表面上的三个接触点连通。本发明增大顶栅MFS型堆叠FeFET器件的存储窗口，提高顶栅MFS型堆叠FeFET器件的读取裕度，有效防止顶栅MFS型堆叠FeFET器件中的随机位翻转以及由噪声和干扰引起的读取错误。
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公开(公告)号：CN118658875A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410795323.8
申请日：2024-06-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H10B51/30
Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFIS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌入衬底中，两者之间留有隔离区；隔离区上依次设有介质层、铁电层；还包括三个电极，源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；栅极电极设置在铁电层的上表面；在衬底上生长有钝化保护层；钝化保护层内还在三个电极对应的位置开设三个通孔，三个通孔内设有导电材料；三个电极通过导电材料与三个接触点连通。本发明有效抑制了铁电层元素与衬底元素之间的元素扩散，以及降低了衬底注入电荷抵消铁电极化电荷后对存储性能的影响。介质层的插入可以有效降低器件的漏电流，增强器件的耐久性能。
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公开(公告)号：CN116828971A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310662600.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种基于掺杂氮化铝薄膜的铁电二极管及其制备方法，涉及半导体制造技术领域。所述铁电二极管包括：衬底、氧化物绝缘层、底电极、铁电层、顶电极、通孔和钝化保护层；所述通孔包括第一通孔和第二通孔；在所述衬底上生长有所述氧化物绝缘层；所述氧化物绝缘层上沉积有所述底电极；所述底电极的部分区域上生长有所述铁电层；所述铁电层上沉积有所述顶电极；所述顶电极和所述底电极上生长有所述钝化保护层；所述顶电极通过所述第一通孔引出第一引线；所述底电极通过所述第二通孔引出第二引线；所述铁电层采用Al1‑xXxN薄膜。本发明能够提高铁电二极管的存储密度和读写速度。
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