公开(公告)号：CN118866962A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410837188.9

申请日：2024-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 任青华 ,  丁泽新 ,  刘鑫 ,  刘宇熙 ,  张国明 ,  钱青楠

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件及其制备方法，属于半导体技术和制造领域。所述MFIS型Fe‑FinFET器件包括：衬底、鳍式结构、第一氧化层、第二氧化层、源极区、源极电极、第一通孔、源极接触点、介质层、铁电层、栅极电极、第二通孔、栅极接触点、漏极区、漏极电极、第三通孔、漏极接触点和钝化保护层；本发明能够制备基于掺杂氮化铝薄膜的MFIS型Fe‑FinFET器件，增强了栅极结构对沟道电导的控制，降低了漏电流以及器件的功耗，提高了器件的速度，有效缓解了短沟道效应，栅极长度的显著缩短为提高基于掺杂氮化铝薄膜的FeFET器件的集成度提供了可能性。

公开(公告)号：CN118841444A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410935577.5

申请日：2024-07-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 任青华 ,  刘宇熙 ,  刘鑫 ,  丁泽新 ,  张国明 ,  钱青楠 ,  周群辉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件及其制备方法，涉及高电子迁移率晶体管技术领域，所述铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件包括：衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、源极电极、漏极电极、栅结构、钝化层、第一通孔、第二通孔、第三通孔、源极接触点、漏极接触点和栅极接触点，所述栅结构自下至上分别由所述势垒层上的p‑GaN层、铁电薄膜层和栅极电极堆叠构成；本发明能够制备铁电薄膜与p‑GaN栅极堆叠的HEMT器件，实现增强和耗尽模式的切换，具有非常大的阈值电压调谐范围，且随电压扫扫描范围和脉冲参数的变化具有逆时针滞后，能进一步提高射频性能。

公开(公告)号：CN118866963A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410837193.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 任青华 ,  丁泽新 ,  钱青楠 ,  张国明 ,  刘鑫 ,  刘宇熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及一种基于掺杂氮化铝薄膜的MFMFIS型Fe‑FinFET器件及其制备方法，属于半导体技术和制造领域。所述MFMFIS型Fe‑FinFET器件包括：衬底、鳍式结构、第一氧化层、第二氧化层、源极区、源极电极、第一通孔、源极接触点、介质层、第一铁电层、第一栅极电极、第二铁电层、第二栅极电极、第二通孔、栅极接触点、漏极区、漏极电极、第三通孔、漏极接触点和钝化保护层。与现有技术相比，本发明能够制备基于掺杂氮化铝薄膜的MFMFIS型Fe‑FinFET器件，均匀化铁电层角处的电场以及极化场，增加了铁电层上的电压降，减小了铁电层的死区，增强了器件的耐久性能，提高了器件的寿命。

公开(公告)号：CN118693136A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410795403.3

申请日：2024-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 任青华 ,  丁泽新 ,  刘鑫 ,  刘宇熙 ,  张国明 ,  钱青楠 ,  周群辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌在衬底中，两者之间设有隔离区；源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；隔离区上设有铁电层、栅极电极，衬底上方生长有钝化保护层，源极电极、铁电层、栅极电极、漏极电极均在钝化保护层内部；钝化保护层内还在三个电极对应的位置分别开设有三个通孔，三个通孔内均填充导电材料，使得三个电极分别与钝化保护层外部表面上的三个接触点连通。本发明增大顶栅MFS型堆叠FeFET器件的存储窗口，提高顶栅MFS型堆叠FeFET器件的读取裕度，有效防止顶栅MFS型堆叠FeFET器件中的随机位翻转以及由噪声和干扰引起的读取错误。

公开(公告)号：CN118658875A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410795323.8

申请日：2024-06-19

Applicant: 上海大学

Inventor： 任青华 ,  丁泽新 ,  刘鑫 ,  钱青楠 ,  张国明 ,  刘宇熙 ,  周群辉

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H10B51/30

Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFIS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌入衬底中，两者之间留有隔离区；隔离区上依次设有介质层、铁电层；还包括三个电极，源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；栅极电极设置在铁电层的上表面；在衬底上生长有钝化保护层；钝化保护层内还在三个电极对应的位置开设三个通孔，三个通孔内设有导电材料；三个电极通过导电材料与三个接触点连通。本发明有效抑制了铁电层元素与衬底元素之间的元素扩散，以及降低了衬底注入电荷抵消铁电极化电荷后对存储性能的影响。介质层的插入可以有效降低器件的漏电流，增强器件的耐久性能。