公开(公告)号：CN118449480A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410562837.9

申请日：2024-05-08

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  汪志远 ,  蒋洁薇 ,  马晨 ,  杨丰瑗 ,  马逸明 ,  陈建霖 ,  任青华

IPC: H03H9/02

Abstract: 一种具有布拉格反射层的极化反转型兰姆波谐振器，包括：第一电极、第二电极和衬底，以及位于第一电极和第二电极之间呈交替周期分布的极化方向为正向和极化方向为反向的压电薄膜，以及在第二电极和衬底之间设有布拉格反射器层。本发明利用纵向和剪切体声波所耦合激发的兰姆波，确保声波在谐振器内部来回反射，而不是散射到基底中。同时还能减少结构共振模式引起的内部损耗。这让谐振器品质因数(Q值)有着更好的提升，从而提高了谐振器的整体性能，还较好的保留了其大机电耦合系数与灵活调谐的特性，从而使得谐振器保持较低的能量耗散以及更好的频率选择性。

公开(公告)号：CN119093890A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411174105.9

申请日：2024-08-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  王志宇 ,  蒋洁薇 ,  马晨 ,  黄飞璇 ,  陈建霖 ,  杨丰瑗 ,  马逸明 ,  任青华

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明涉及一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器，属于半导体器件技术领域，包括：由n层压电层层叠而成的压电薄膜；设置于压电薄膜顶部压电层的上电极，每隔m个电极，在压电薄膜顶部压电层上设置有梯形凹槽；设置于压电薄膜底部压电层的下电极，下电极采用平板电极，或是采用数量与上电极相对应下电极来驱动谐振器谐振。本发明设计的复合层兰姆波谐振器可以制备出高薄膜质量的掺钪浓度较高的氮化铝薄膜，同时在压电层没有电极覆盖的部分通过刻蚀形成梯形凹槽，通过调节梯形凹槽的角度来抑制S0模态和S1模态的带外杂散和实现光刻频率可调谐性，以及通过改变梯形凹槽的深度来实现模态转换，以此来实现无杂散模态、高k2eff以及小尺寸的兰姆波谐振器。

公开(公告)号：CN118868835A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410884907.2

申请日：2024-07-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  贺喜 ,  马晨 ,  陈建霖 ,  杨丰瑗 ,  任青华 ,  马逸明

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/13 ,  H03H9/17 ,  G06F30/27 ,  G06F30/373 ,  G06N3/0499

Abstract: 本发明涉及一种不规则电极的生成方法、不规则电极的薄膜体声波谐振器，属于微机电(MEMS)技术领域，该生成方法包括：S1、在极坐标系中将多个随机振幅、随机相位的正弦波相叠加；S2、计算阻抗频率曲线中谐振频率点附近的杂散模态数量，设置波动阈值Δs，若是阻抗频率曲线的振幅S>Δs，则记为一处杂散模态，一个器件中，谐振点附近的杂散模态总数量记为M；S3、建立前馈神经网络，将S1得到的单个不规则多边形的坐标编码为一维向量V，作为输入层，将其对应的杂散模态的数量M，作为输出层；输出层和输入层在训练前将进行归一化操作，使之能够与神经网络的结构所匹配，使用adam优化器，优化目标设置为杂散模态的数量M最小，进行训练，得到不规则多边形与杂散模态数量的关系模型；用验证集进行验证，得到关系模型；S4、利用S3中验证后的关系模型生成一组新的不规则多边形，将生成的多边形作为薄膜体声波谐振器的电极形状，得到薄膜体声波谐振器用不规则电极。与现有技术相比，本发明所采用的不规则电极形状结构经验证能够有效地抑制横向驻波的生成，进而减少频谱中的杂散模态。

公开(公告)号：CN116488603A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310400029.8

申请日：2023-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  蒋洁薇 ,  马晨 ,  杨丰瑗 ,  王志宇

IPC: H03H9/02

Abstract: 一种兰姆波谐振器，包括底电极和顶电极，在所述底电极和顶电极之间平铺有呈交替周期分布的正极化方向的压电薄膜和反极化方向的压电薄膜。本发明可以在高频交流电信号的作用下产生兰姆波，得到不使用IDT的兰姆波谐振器，实现高的有效机电耦合系数(超过15％)。

公开(公告)号：CN118523743A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410583869.7

申请日：2024-05-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  黄飞璇 ,  马晨 ,  蒋洁薇 ,  王志宇 ,  陈建霖 ,  马逸明 ,  任青华 ,  杨丰瑗

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

Abstract: 本发明涉及一种高频横向激励体声波谐振器及弹性波装置，属于微机电(MEMS)技术领域，该谐振器包括衬底(100)，还包括：设置于衬底(100)上的压电层(300)；设置于衬底(100)与压电层(300)之间和/或设置于压电层(300)上的温度补偿层(200)；设置于压电层(300)上的叉指电极(500)；设置于压电层(300)和/或设置于叉指电极(500)上或下的高声速导热薄膜(400)。与现有技术相比，本发明通过设计高声速导热薄膜‑压电层‑温度补偿层的三层复合结构谐振器，并通过合理地调节设计参数，使得高阶的厚度剪切型兰姆波被有效地激发，进而使得谐振器能够实现高频的同时，还具有高机电耦合、高温度稳定性以及良好的功率处理能力等性能。

公开(公告)号：CN116760381A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310648102.3

申请日：2023-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  马晨 ,  蒋洁薇 ,  杨丰瑗 ,  陈建霖 ,  汪志远 ,  贺喜

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/13

Abstract: 一种射频微机电压电谐振器，包括压电层，固定在所述压电层的上侧的顶部电极，还包括：顶部电极填充层，包裹所述顶部电极；顶部覆盖层，覆盖在所述顶部电极填充层上，用于集中振动机械能，所述顶部覆盖层内部设有沟槽，用于消除杂散模态。本发明能够显著提升器件的品质因数Q，同时也能够消除主谐振附近的杂散模态，使阻抗曲线更平滑。

公开(公告)号：CN116488604A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310400030.0

申请日：2023-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  蒋洁薇 ,  马晨 ,  杨丰瑗 ,  王志宇

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/145 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58 ,  H03H3/02

Abstract: 一种具有周期空隙结构的体声波谐振器、制备方法以及体声波滤波器，其中体声波谐振器由下至上依次包括底电极、压电薄膜和顶电极，在所述压电薄膜中呈周期分布有空隙结构，使压电薄膜的横向和纵向尺寸呈现同一数量级，从而使压电材料横向的压电系数d31和纵向的压电系数d33被耦合利用，实现7％以上的有效机电耦合系数。