公开(公告)号：CN118523743A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410583869.7

申请日：2024-05-11

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  黄飞璇 ,  马晨 ,  蒋洁薇 ,  王志宇 ,  陈建霖 ,  马逸明 ,  任青华 ,  杨丰瑗

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

Abstract: 本发明涉及一种高频横向激励体声波谐振器及弹性波装置，属于微机电(MEMS)技术领域，该谐振器包括衬底(100)，还包括：设置于衬底(100)上的压电层(300)；设置于衬底(100)与压电层(300)之间和/或设置于压电层(300)上的温度补偿层(200)；设置于压电层(300)上的叉指电极(500)；设置于压电层(300)和/或设置于叉指电极(500)上或下的高声速导热薄膜(400)。与现有技术相比，本发明通过设计高声速导热薄膜‑压电层‑温度补偿层的三层复合结构谐振器，并通过合理地调节设计参数，使得高阶的厚度剪切型兰姆波被有效地激发，进而使得谐振器能够实现高频的同时，还具有高机电耦合、高温度稳定性以及良好的功率处理能力等性能。

公开(公告)号：CN119093890A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411174105.9

申请日：2024-08-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王楠 ,  王志宇 ,  蒋洁薇 ,  马晨 ,  黄飞璇 ,  陈建霖 ,  杨丰瑗 ,  马逸明 ,  任青华

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明涉及一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器，属于半导体器件技术领域，包括：由n层压电层层叠而成的压电薄膜；设置于压电薄膜顶部压电层的上电极，每隔m个电极，在压电薄膜顶部压电层上设置有梯形凹槽；设置于压电薄膜底部压电层的下电极，下电极采用平板电极，或是采用数量与上电极相对应下电极来驱动谐振器谐振。本发明设计的复合层兰姆波谐振器可以制备出高薄膜质量的掺钪浓度较高的氮化铝薄膜，同时在压电层没有电极覆盖的部分通过刻蚀形成梯形凹槽，通过调节梯形凹槽的角度来抑制S0模态和S1模态的带外杂散和实现光刻频率可调谐性，以及通过改变梯形凹槽的深度来实现模态转换，以此来实现无杂散模态、高k2eff以及小尺寸的兰姆波谐振器。