公开(公告)号：CN1421913A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02127067.8

申请日：2002-07-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 堤聪明

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/764 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明的主要目的在于提供具有能够减缓应力、同时能够可控地形成沟道截止层，以及能够得到良好的隔离特性的改进了的沟槽隔离的半导体器件。在半导体衬底(1)的表面设置了沟槽(6)。以在沟槽(6)内产生孔隙的方式，设置了其一部分嵌入给该沟槽(6)，并且向上方延伸的绝缘膜(8)。使沟槽(6)的上端的直径比绝缘膜(8)的直径小。

公开(公告)号：CN1153302C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN97109797.6

申请日：1997-05-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前川繁登 ,  一法师隆志 ,  岩松俊明 ,  前田茂伸 ,  金逸中 ,  塘一仁 ,  栗山祐忠 ,  石垣佳之 ,  浮田求 ,  堤聪明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78639

Abstract: 提供一种能防止在具有连接导电类型不同的多晶硅层结构的薄膜晶体管中由于杂质扩散引起的不良后果的薄膜晶体管及其制造方法。用多晶硅在第2氧化膜4的表面上整体地形成漏极6、沟道7、源极8。漏极6通过到达衬垫层3(第2多晶半导体层)的上表面而形成的接触孔5连接在衬垫层3上。而且在位于接触孔5(开口部)的底部的衬垫层3上形成硼注入区BR。

公开(公告)号：CN1191636C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，能够容易俘获残留高熔点金属，防止残留高熔点金属陷入非硅化物区，减少非硅化物区的扩散层的结泄漏，提高成品率。为此，在半导体装置的非硅化物区(2)的附近配置虚拟硅化物区(11)。

公开(公告)号：CN1379478A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置,能够容易俘获残留高熔点金属,防止残留高熔点金属陷入非硅化物区,减少非硅化物区的扩散层的结漏泄,提高成品率。为此,在半导体装置的非硅化物区2的附近配置虚拟硅化物区11。

公开(公告)号：CN1182962A

公开(公告)日：1998-05-27

申请号：CN97109797.6

申请日：1997-05-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前川繁登 ,  一法师隆志 ,  岩松俊明 ,  前田茂伸 ,  金逸中 ,  塘一仁 ,  栗山祐忠 ,  石垣佳之 ,  浮田求 ,  堤聪明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78639

Abstract: 提供一种能防止在具有连接导电类型不同的多晶硅层结构的薄膜晶体管中由于杂质扩散引起的不良后果的薄膜晶体管及其制造方法。用多晶硅在第2氧化膜4的表面上整体地形成漏极6、沟道7、源极8。漏极6通过到达衬垫层3(第2多晶半导体层)的上表面而形成的接触孔5连接在衬垫层3上。而且在位于接触孔5(开口部)的底部的衬垫层3上形成硼注入区BR。