公开(公告)号：CN1191636C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，能够容易俘获残留高熔点金属，防止残留高熔点金属陷入非硅化物区，减少非硅化物区的扩散层的结泄漏，提高成品率。为此，在半导体装置的非硅化物区(2)的附近配置虚拟硅化物区(11)。

公开(公告)号：CN1379478A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置,能够容易俘获残留高熔点金属,防止残留高熔点金属陷入非硅化物区,减少非硅化物区的扩散层的结漏泄,提高成品率。为此,在半导体装置的非硅化物区2的附近配置虚拟硅化物区11。