公开(公告)号：CN1184334A

公开(公告)日：1998-06-10

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力,从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2,对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠,将其作为层间绝缘膜。其后,形成接触孔4。

公开(公告)号：CN1135618C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN97114574.1

申请日：1997-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 木村雅俊 ,  东谷惠市 ,  大野多喜夫

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/535 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/76804 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在多层布线结构的半导体装置中降低从层间绝缘膜加到金属布线上的应力，从而防止接触孔内的金属隆起。在作为基底的层间绝缘膜7的表面上形成金属布线2，对应力值高的TEOS氧化膜5、SOG膜3和应力值低的TEOS氧化膜6进行层叠，将其作为层间绝缘膜。其后，形成接触孔4。

公开(公告)号：CN1191636C

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，能够容易俘获残留高熔点金属，防止残留高熔点金属陷入非硅化物区，减少非硅化物区的扩散层的结泄漏，提高成品率。为此，在半导体装置的非硅化物区(2)的附近配置虚拟硅化物区(11)。

公开(公告)号：CN1379478A

公开(公告)日：2002-11-13

申请号：CN01143290.X

申请日：2001-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 神野健 ,  堤聪明 ,  儿玉修治 ,  大野多喜夫

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L28/24 ,  H01L23/26 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置,能够容易俘获残留高熔点金属,防止残留高熔点金属陷入非硅化物区,减少非硅化物区的扩散层的结漏泄,提高成品率。为此,在半导体装置的非硅化物区2的附近配置虚拟硅化物区11。