公开(公告)号：CN102138202B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200980131013.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 镰田京子 ,  田中圭一 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/10 ,  C11D7/244 ,  C11D7/261 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。

公开(公告)号：CN102959691A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180031421.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 镰田京子 ,  山田健二 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D7/50 ,  C11D7/60

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D7/06 ,  C11D7/261 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: [课题]本发明提供在半导体电路元件的制造工序中，在半导体基板表面的化学机械研磨（CMP）后去除残渣和污染物质的洗涤用液体组合物以及使用其的洗涤方法。[解决方法]本发明的洗涤用液体组合物含有氢氧化季铵、1-乙炔基-1-环己醇、络合剂、二乙烯三胺五甲叉膦酸以及水，且pH为9~13。通过使用本发明的洗涤用液体组合物进行洗涤，可以保护其不受来源于半导体电路元件制造工序、环境的污染、腐蚀、氧化、产生异物的影响，从而得到清洁的配线表面。

公开(公告)号：CN102138202A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980131013.X

申请日：2009-07-07

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 镰田京子 ,  田中圭一 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/10 ,  C11D7/244 ,  C11D7/261 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5004 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供残渣剥离液组合物及使用其的半导体元件的洗涤方法，所述残渣剥离液组合物在具有由铝(Al)或铝合金构成的金属配线的半导体基板的制造工序中，可将为了形成导通孔而进行干蚀刻及灰化后残留的抗蚀剂残渣及来源于钛(Ti)的残渣在低温、短时间内完全除去，并且不会腐蚀层间绝缘材料、配线材料等部件。该残渣剥离液组合物是含有(A)氟化铵；(B)甲磺酸；(C)具有碳-碳三键的化合物；(D)水溶性有机溶剂；以及(E)水的残渣剥离液组合物，并且，该残渣剥离液组合物中的(A)、(C)、(D)及(E)的含量分别为0.005～2质量％、0.1～10质量％、60～75质量％及5～38质量％，且(B)相对于(A)为0.9～1.5倍量(摩尔比)。