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公开(公告)号：CN102026795B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200980117404.6
申请日：2009-05-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , MGC菲尔须特股份有限公司
IPC: B29C53/04 , B32B27/36 , C08F290/06 , C09J4/02 , C09J11/06 , C09J175/16 , C09J201/02 , H05K9/00
CPC classification number: B32B3/28 , B29C53/04 , B29C53/84 , B29L2009/00 , B32B1/00 , B32B5/02 , B32B5/024 , B32B7/12 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/12 , B32B27/18 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B37/12 , B32B38/0012 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/103 , B32B2307/212 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/546 , B32B2307/558 , B32B2369/00 , B32B2419/00 , B32B2457/00 , B32B2605/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08J5/124 , C08J2369/00 , C09J175/16 , H05K9/0083 , Y10T156/1007 , Y10T156/1043 , Y10T428/24628 , Y10T428/31507
Abstract: 根据本发明提供一种层压体的制造方法，其特征在于，其具有如下工序：使用含有(A)(甲基)丙烯酸酯单体、(B)(甲基)丙烯酸酯低聚物、(C)丙烯酰胺衍生物、以及(D)硅烷化合物和/或(E)有机磷化合物的(甲基)丙烯酸酯系粘接剂组合物，将2层以上的聚碳酸酯树脂薄膜和/或片材进行层压，制作厚0.1mm～30mm的层压体的工序；在130℃～185℃下，并且将该层压体的上下表面温度差控制在20℃以内来对该层压体进行加热的工序；将加热后的该层压体弯曲加工成曲率半径为10mm以上的曲面的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102026795A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980117404.6
申请日：2009-05-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , MGC菲尔须特股份有限公司
IPC: B29C53/04 , B32B27/36 , C08F290/06 , C09J4/02 , C09J11/06 , C09J175/16 , C09J201/02 , H05K9/00
CPC classification number: B32B3/28 , B29C53/04 , B29C53/84 , B29L2009/00 , B32B1/00 , B32B5/02 , B32B5/024 , B32B7/12 , B32B15/02 , B32B15/08 , B32B27/08 , B32B27/12 , B32B27/18 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B37/12 , B32B38/0012 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/103 , B32B2307/212 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/546 , B32B2307/558 , B32B2369/00 , B32B2419/00 , B32B2457/00 , B32B2605/00 , C08F220/18 , C08F220/56 , C08J5/124 , C08J2369/00 , C09J175/16 , H05K9/0083 , Y10T156/1007 , Y10T156/1043 , Y10T428/24628 , Y10T428/31507
Abstract: 根据本发明提供一种层压体的制造方法，其特征在于，其具有如下工序：使用含有(A)(甲基)丙烯酸酯单体、(B)(甲基)丙烯酸酯低聚物、(C)丙烯酰胺衍生物、以及(D)硅烷化合物和/或(E)有机磷化合物的(甲基)丙烯酸酯系粘接剂组合物，将2层以上的聚碳酸酯树脂薄膜和/或片材进行层压，制作厚0.1mm～30mm的层压体的工序；在130℃～185℃下，并且将该层压体的上下表面温度差控制在20℃以内来对该层压体进行加热的工序；将加热后的该层压体弯曲加工成曲率半径为10mm以上的曲面的工序。
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公开(公告)号：CN100526450C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量%以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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公开(公告)号：CN100473454C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200580016401.5
申请日：2005-05-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: B01J19/12 , B01D53/86 , B01J35/02 , B01J35/12 , C01B13/14 , C01B33/12 , C01F7/02 , C01G1/02 , C23C16/48 , H01L21/316
CPC classification number: B01J19/123 , A61L2/10 , A61L2/186 , A61L2/24 , A62D3/176 , A62D3/38 , A62D2101/20 , A62D2101/22 , A62D2101/28 , A62D2203/04 , B01J19/0093 , B01J2219/00936 , B01J2219/0801 , B01J2219/0879 , B01J2219/089 , B01J2219/0892 , C01B13/322 , C01F7/428 , H05K3/385
Abstract: 本发明提供了一种在含有一氧化二氮(N2O)的液体中进行物质氧化的方法和所使用的氧化设备。在该方法中，物质的氧化是使物质存在于含一氧化二氮(N2O)的溶液中，并用波长为240纳米或更低的光进行照射。
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公开(公告)号：CN1956778A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016401.5
申请日：2005-05-18
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: B01J19/12 , B01D53/86 , B01J35/02 , B01J35/12 , C01B13/14 , C01B33/12 , C01F7/02 , C01G1/02 , C23C16/48 , H01L21/316
CPC classification number: B01J19/123 , A61L2/10 , A61L2/186 , A61L2/24 , A62D3/176 , A62D3/38 , A62D2101/20 , A62D2101/22 , A62D2101/28 , A62D2203/04 , B01J19/0093 , B01J2219/00936 , B01J2219/0801 , B01J2219/0879 , B01J2219/089 , B01J2219/0892 , C01B13/322 , C01F7/428 , H05K3/385
Abstract: 本发明提供了一种在含有一氧化二氮(N2O)的液体中进行物质氧化的方法和所使用的氧化设备。在该方法中，物质的氧化是使物质存在于含一氧化二氮(N2O)的溶液中，并用波长为240纳米或更低的光进行照射。
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公开(公告)号：CN1526807A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410005492.X
申请日：2004-02-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/2082 , C11D3/2086 , C11D3/30 , C11D3/3723 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去，且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀，而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸及氟化合物，添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；(2)半导体基体用洗涤液，其特征在于：含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂，通过添加碱性化合物使pH调整为3～10，且水的浓度为80重量％以上；及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法，其特征在于：使用前述的洗涤液。
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