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公开(公告)号：CN100382304C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN1722370A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510084655.2
申请日：2005-07-15
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/014
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。
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公开(公告)号：CN1658387A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009366.6
申请日：2005-02-17
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，提高可靠性。本发明的半导体装置包括：支承板(5)，其粘接在所述半导体衬底(1)的表面上，使其覆盖介由氧化硅膜或氮化硅膜等构成的绝缘层(2)形成在半导体衬底(1)上的焊盘电极(3)；通孔(8)，其从所述半导体衬底(1)的背面到达所述焊盘电极(3)的表面，其中，靠近所述焊盘电极表面的部分的开口直径大于靠近所述半导体衬底(1)背面的部分的开口直径。
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公开(公告)号：CN100382247C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510084655.2
申请日：2005-07-15
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/02372 , H01L2224/03 , H01L2224/0401 , H01L2224/05 , H01L2224/05548 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2924/014
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置的制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在对应焊盘电极11的位置形成贯通半导体衬底10的通孔16。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面上形成绝缘膜17。然后，在半导体衬底10的背面上，形成在通孔16的开口部的边缘具有悬空部18a的加强用绝缘膜18。然后，以该加强用绝缘膜18为掩模，使通孔16的侧壁的绝缘膜17留下，同时蚀刻除去该底部的绝缘膜17。接着，在包含通孔16的半导体衬底10的背面，形成贯通电极21、布线层22、及导电端子24。最后，通过切割把半导体衬底10切断分离为半导体芯片10A。
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公开(公告)号：CN100514565C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1738002A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510084836.5
申请日：2005-07-18
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/0231 , H01L2224/02372 , H01L2224/05548
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其具有贯通电极，能够使工序简化，将制造成本抑制得极低，同时，谋求有效利用率的提高。在半导体衬底(10)的表面形成第一绝缘膜(11)，蚀刻其一部分，形成露出半导体衬底(10)的一部分的开口部(11a)。其次，形成从开口部(11a)内延伸到第一绝缘膜(11)上的焊盘电极(12)。在半导体衬底(10)的背面上形成第二绝缘膜(15)。然后，形成具有比开口部(11a)大的口径的通路孔(16)。形成从通路孔(16)内延伸到第二绝缘膜(15)上的第三绝缘膜(17)，蚀刻通路孔(16)底部的第三绝缘膜(17)，露出焊盘电极(12)。然后，在通路孔(16)内形成贯通电极(19)及配线层(20)。最后，将半导体衬底(10)切断分离成多个半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN100429770C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200510118099.6
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/351 , Y10S438/978 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。蚀刻半导体衬底(10)，形成从半导体衬底(10)到达焊盘电极(12)的通孔(16)。在此，上述蚀刻按使通孔(16)底部的开口直径A比焊盘电极(12)的平面宽度C大这样的蚀刻条件进行。其次，在包括该通孔(16)的半导体衬底(10)的背面上形成在通孔(16)底部使焊盘电极(12)露出的第二绝缘膜(17)。然后，形成与在通孔(16)底部露出的焊盘电极(12)电连接的贯通电极(20)及配线层(21)。进而形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过切割将半导体衬底(10)切断分离为半导体芯片(10A)。
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公开(公告)号：CN1779960A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510118098.1
申请日：2005-10-25
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/10 , H01L24/12 , H01L2224/0231 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941
Abstract: 一种具有贯通电极的半导体装置及其制造方法，谋求半导体装置的可靠性及成品率的提高。在半导体衬底(10)的表面上介由第一绝缘膜(11)形成第一焊盘电极层(12)。然后，在它们的上层形成具有将第一焊盘电极层(12)局部露出的第一通孔(101)的第二绝缘膜(13)。然后，在第一通孔(101)内形成塞(14)，在第二绝缘膜(13)上形成与该塞(14)连接的第二焊盘电极层(15)。然后，形成与第二通孔(102)底部的焊盘电极(12)连接的贯通电极(20)及第二配线层(21)。再形成保护层(22)、导电端子(23)。最后，通过进行切割，将半导体衬底(10)切断分离成半导体芯片(10)。
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公开(公告)号：CN100524713C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610125690.9
申请日：2006-08-31
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 梅本光雄
IPC: H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/7317 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L29/66265 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，以及电路基板及其制造方法。该半导体装置能够提高与焊料等接合材料的连接可靠性。本发明的半导体装置(10A)中在半导体基板(11)的上面形成有源区域(20)，该有源区域由埋有氧化物的沟槽(24)包围。另外，与有源区域电气连接的贯通电极(16)从半导体基板的上面延伸到背面。在此，贯通电极(16)的下端从覆盖半导体基板(11)的背面的绝缘膜(27)向下方突出。因此，使用焊料等接合材料而安装半导体装置(10A)时将突出外部的贯通电极(16)埋入接合材料，提高连接可靠性。
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公开(公告)号：CN100505300C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610073803.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L23/482 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，提高高频区域的半导体装置的特性。本发明的半导体装置(20A)在半导体衬底(25)的表面形成有与有源区域(21)连接的发射极焊盘电极(23E)、集电极焊盘电极(23C)及基极焊盘电极(23B)。另外，在半导体衬底(25)的背面形成有背面电极(26)。另外，与接地电位连接的发射极焊盘电极(23E)经由沿厚度方向贯通半导体衬底(25)的贯通电极(24A)与背面电极(26)连接。
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