公开(公告)号：CN100505300C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610073803.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 久保博稔 ,  白旗由香利 ,  松本成仁 ,  山室正伦 ,  龟山工次郎 ,  梅本光雄

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/482 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，提高高频区域的半导体装置的特性。本发明的半导体装置(20A)在半导体衬底(25)的表面形成有与有源区域(21)连接的发射极焊盘电极(23E)、集电极焊盘电极(23C)及基极焊盘电极(23B)。另外，在半导体衬底(25)的背面形成有背面电极(26)。另外，与接地电位连接的发射极焊盘电极(23E)经由沿厚度方向贯通半导体衬底(25)的贯通电极(24A)与背面电极(26)连接。

公开(公告)号：CN1841767A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610073803.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 久保博稔 ,  白旗由香利 ,  松本成仁 ,  山室正伦 ,  龟山工次郎 ,  梅本光雄

IPC: H01L29/423 ,  H01L23/482 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，提高高频区域的半导体装置的特性。本发明的半导体装置(20A)在半导体衬底(25)的表面形成有与有源区域(21)连接的发射极焊盘电极(23E)、集电极焊盘电极(23C)及基极焊盘电极(23B)。另外，在半导体衬底(25)的背面形成有背面电极(26)。另外，与接地电位连接的发射极焊盘电极(23E)经由沿厚度方向贯通半导体衬底(25)的贯通电极(24A)与背面电极(26)连接。

公开(公告)号：CN1649167A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410102112.4

申请日：2004-12-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 冨永久昭 ,  小田岛庆汰 ,  松本成仁 ,  山室正伦

IPC: H01L29/72 ,  H01L21/328

CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在双极晶体管中，在本征基极区域下方设置SIC，谋求柯克效应的抑制和本征基极区域的薄膜化，从而提高fT。并且，SIC层的杂质浓度越高其效果越好。当一侧SIC层的杂质浓度高时，VCEO降低，fT提高及柯克效应的抑制和VCEO特性在于折衷选择(トレ一ドオフ)的关系。在本征基极区域下方设置与本征基极区域接触的第二SIC层，并在第二SIC层的下方设置比第二SIC层的杂质浓度高的第一SIC层。可利用第一SIC层缩短集电极宽度，并抑制柯克效应，由第二SIC层截断本征基极区域下端，谋求提高fT。另外，通过采用比第二SIC层的杂质扩散系数大的第一SIC层的杂质，可通过一次热处理形成深度不同的两层SIC层。