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公开(公告)号：CN101272035B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810100306.9
申请日：2008-03-14
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和其制造方法，该半导体激光装置包括：沿着共振器延伸的第一方向或与第一方向交叉的第二方向存在弯曲的半导体激光元件；和固定半导体激光元件的弯曲的凸出侧的基台，在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的一个端部和基台之间的距离小于在第一方向和第二方向中弯曲较大的方向上的半导体激光元件的另一端部和基台之间的距离。
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公开(公告)号：CN102171899A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138656.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H04N9/3161 , B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01S5/0216 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02476 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/24 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4043 , H01S5/4093 , H04N9/3105 , H04N9/3111 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种能够容易地得到所希望的色相的半导体激光装置。该半导体激光装置(100)具备：具有一个或多个激光发光部的绿色半导体激光元件(30)、具有一个或多个激光发光部的蓝色半导体激光元件(50)、具有一个或多个激光发光部的红色半导体激光元件(10)。而且，绿色半导体激光元件、蓝色半导体激光元件和红色半导体激光元件中的至少二个半导体激光元件具有如下关系，即，合计输出相对小的半导体激光元件的激光发光部的个数比合计输出相对大的具有多个激光发光部的半导体激光元件的激光发光部的个数、或输出相对大的具有一个激光发光部的半导体激光元件的个数多。
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公开(公告)号：CN102142659A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110035365.4
申请日：2006-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , B82Y20/00 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置和光学拾取装置，半导体激光装置的蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点，配置成按该顺序沿Y方向大致排列在直线上。从蓝紫色发光点发射的蓝紫色激光和从红色发光点发射的红色激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4片、物镜、柱面透镜和光轴校正元件构成的光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向同一个光检测器。从红外发光点发射的红外激光，通过上述光学系统入射到光盘上，从光盘返回后被导向光检测器。
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公开(公告)号：CN101459318B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910000559.3
申请日：2005-02-21
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/0243 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0075 , H01L33/025
Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。
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公开(公告)号：CN101361238B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780001734.X
申请日：2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/02
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826703A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010164149.5
申请日：2005-09-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: H01S5/4025 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
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公开(公告)号：CN101567417A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137372.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/812 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01S5/0201 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000－1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。
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公开(公告)号：CN100533794C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710147743.1
申请日：2004-02-06
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN100524987C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200510053943.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/4043 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4087 , H01L2924/00014
Abstract: 红色半导体激光元件的p型衬垫电极和第一端子用导线连接，红外半导体激光元件的p型衬垫电极和第二端子用导线连接，蓝紫色半导体激光元件的p电极和第三端子用导线连接。此外蓝紫色半导体激光元件的n电极与底座实现电导通。红色半导体激光元件的n电极与底座用导线连接，红外半导体激光元件的n电极与底座用导线连接。在底座内设置第四端子。
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