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公开(公告)号：CN101567417A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137372.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/2003 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L29/812 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01S5/0201 , H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件和其制造方法。该氮化物类半导体元件包括：基板；在基板的第一侧端面的主表面侧形成的第一台阶部；在第一侧端面的相反侧、并且在与第一侧端面大致平行的第二侧端面的主表面侧形成的第二台阶部；和在主表面上，具有由将第一台阶部的第一侧壁作为起点的(000－1)面构成的第一侧面、和将第二台阶部的第二侧壁作为起点的第二侧面的氮化物类半导体层。
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公开(公告)号：CN102545055A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210073325.3
申请日：2008-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02208 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/42
Abstract: 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光二极管及其制造方法。该氮化物类半导体发光二极管包括：基板，其在主表面上形成有凹部；和氮化物类半导体层，其在所述主表面上具有发光层，并且包含以所述凹部的一内侧面为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面、和夹着所述发光层在与所述第一侧面相反侧的区域以所述凹部的另一内侧面为起点而形成的第二侧面。
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公开(公告)号：CN101355232B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810134056.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
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公开(公告)号：CN101809833A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880108937.3
申请日：2008-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02208 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/42
Abstract: 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。
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公开(公告)号：CN101369528B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200810145806.4
申请日：2008-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法和半导体元件，其包括：在具有上表面、下表面、和以分割上表面侧和下表面侧的方式配置的位错集中区域的基板的上表面上形成半导体元件层的工序、通过将基板的下表面侧与位错集中区域的至少一部分一起除去，从而在基板的下表面，使在上方不存在位错集中区域的部分露出的工序、和在基板的下表面中，至少在上方不存在位错集中区域的部分被露出的区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN101809833B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880108937.3
申请日：2008-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/02208 , H01S5/0224 , H01S5/02252 , H01S5/02292 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0683 , H01S5/1085 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S5/42
Abstract: 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。
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公开(公告)号：CN101952982A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200880126957.3
申请日：2008-12-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/18 , H01S5/2231 , H01S5/3203 , H01S5/4031
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光二极管，其可抑制制造工艺复杂化，并且可提高来自发光层的光的输出效率，且可进一步提高半导体层的平坦性。该氮化物类半导体发光二极管(30)包括：基板(11)，其在主表面上形成有凹部(21)；氮化物类半导体层(12)，其在主表面上具有发光层(14)，并且包含以凹部的一内侧面(21a)为起点而形成的由(000-1)面构成的第一侧面(12a)、和夹着发光层而在第一侧面的相反侧的区域以凹部的另一内侧面(21b)为起点而形成的第二侧面(12b)。
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公开(公告)号：CN101841130A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010176937.6
申请日：2010-02-05
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供氮化物类半导体元件、光学装置和氮化物类半导体元件的制造方法。该氮化物类半导体元件包括：由氮化物类半导体构成的基板；在基板上形成的元件层；和在与元件层相反的一侧的基板的表面形成的电极。基板包括：由非极性面或半极性面构成的第一面；第一面的相反侧的第二面；从第一面朝向第二面在相对于第一面的法线方向倾斜的方向延伸，并且向第二面贯通的缺陷集中区域；和以缺陷集中区域作为边界与基板的其它区域分离的电流通路区域，缺陷集中区域不在第一面上露出，电极形成在电流通路区域的上述第二面上。
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公开(公告)号：CN101369528A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145806.4
申请日：2008-08-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法和半导体元件，其包括：在具有上表面、下表面、和以分割上表面侧和下表面侧的方式配置的位错集中区域的基板的上表面上形成半导体元件层的工序、通过将基板的下表面侧与位错集中区域的至少一部分一起除去，从而在基板的下表面，使在上方不存在位错集中区域的部分露出的工序、和在基板的下表面中，至少在上方不存在位错集中区域的部分被露出的区域上形成电极的工序。
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公开(公告)号：CN101355232A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134056.0
申请日：2008-07-24
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0206 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2301/173
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件，其包括：由氮化物类半导体构成的基板；和在上述基板的主表面上形成的光波导，其中，基板包括以相对基板的主表面在倾斜方向上延伸的方式配置的位错集中区域，光波导以位于位错集中区域的上方，并位于基板的主表面中的除去出现位错集中区域的部分的区域上的方式形成。
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