公开(公告)号：CN101714743A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178590.6

申请日：2009-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川学 ,  太田洁 ,  市桥由成

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。

公开(公告)号：CN1893110A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610095956.X

申请日：2006-06-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  太田洁

IPC: H01L29/45 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体元件，其具备具有主表面的氮化物类半导体层、和在上述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，上述欧姆电极包含与上述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层、和在上述硅层上形成的第一金属层。

公开(公告)号：CN1753261A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510105528.6

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且，将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。

公开(公告)号：CN1652364A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007356.9

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。

公开(公告)号：CN101826703A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010164149.5

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/40

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。

公开(公告)号：CN100524852C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200510007356.9

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。

公开(公告)号：CN101958508A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010280706.X

申请日：2010-07-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 别所靖之 ,  言水孝二 ,  清水源 ,  三桥大树 ,  太田洁

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  G11B7/125

CPC classification number: G11B7/1275 ,  B82Y20/00 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明的半导体激光器件具有：具有主面的支承部件；经第一接合层接合在主面上的第一半导体激光元件；经第二接合层与第一半导体激光元件相邻地接合在主面上的第二半导体激光元件。另外，第二接合层的熔点低于第一接合层的熔点，从主面到第二半导体激光元件的第四表面的第一高度大于从主面到第一半导体激光元件的第二表面的第二高度。

公开(公告)号：CN1753261B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510105528.6

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且，将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。

公开(公告)号：CN1534841B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200410031629.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹内邦生 ,  广山良治 ,  井上大二朗 ,  冈本重之 ,  松冈宪昭 ,  龟山真吾 ,  太田洁

IPC: H01S5/22

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/83192 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34326

Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。

公开(公告)号：CN101582481A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910142480.4

申请日：2005-02-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 国里龙也 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种可以抑制光输出特性的降低和制造成品率的降低的氮化物系发光元件。所述氮化物系发光元件具有至少含一种金属和线膨胀系数低于金属的一种无机材料的导电性基板、和接合在所述导电性基板上的氮化物系半导体元件层。