公开(公告)号：CN1591795A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057191.1

申请日：2004-08-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 奥田道则 ,  市桥由成 ,  山冈义和 ,  井上恭典 ,  田中友子

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在含有Si、O和C的层间绝缘膜上形成多个贯通孔时，形成包括多个贯通孔的贯通孔群，和在孤立贯通孔的周围形成多个虚设贯通孔。和/或提高蚀刻气体中的含氮气体的含量。此外，使用含有C4F6的蚀刻气体，和不含C4F6的蚀刻气体依次进行蚀刻。和/或将下述式(1)定义的蚀刻气体中的碳含有率做成为5％以下。p＝X×(Qc/Q)×100…(1)；其中，X表示氟代烃CXFY中的碳组成比；Q表示蚀刻气体的全流量；Qc表示氟代烃CXFY的流量。

公开(公告)号：CN1728888A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510088131.0

申请日：2005-07-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松原直辉 ,  奥田道则

IPC: H04R19/04

Abstract: 本发明涉及一种提高了灵敏度与强度的声敏元件。硅基板(52)中贯通设置有音孔。薄膜电极(16)通过至少1个固定端(32)安装在硅基板(52)的上侧的表面上，将硅基板(52)的音孔覆盖起来。薄膜电极(16)在互相垂直的直径方向具有4处突出部分。4处突出部分的一处中设有固定端(32)，此外的3处形成有铰链轴(34)。背板电极(14)设置在薄膜电极(16)的上方，形成电容。