公开(公告)号：CN102187552A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141589.4

申请日：2009-08-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  宍田佳谦 ,  本间运也

IPC: H02K33/00

CPC classification number: H02K33/16 ,  H02K3/26

Abstract: 获得能够谋求薄型化的线性电动机。该线性电动机(100)具备：漩涡状的线圈(141、142、441、442)和可动部(120、220)，其在与漩涡状的线圈相对的面上包括具有第1极性的第1磁极面(121a)、以及具有与第1极性不同的第2极性的第2磁极面(122a)，并被设置为在沿着漩涡状的线圈的表面的方向上能够移动。

公开(公告)号：CN1527376A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410006520.X

申请日：2004-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宍田佳谦 ,  渡边裕之

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76828 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种配线结构的形成方法，它能够抑制由用于形成开口部的光致抗蚀剂膜产生的氮系化合物气体引起的图形不良的问题。该配线结构形成方法包括：在第一配线层上，形成第一绝缘膜以及用于抑制含氮气体透过的气体透过抑制膜的工序；在第一绝缘膜和气体透过抑制膜上形成第一开口部的工序；进行在第一开口部形成后实施热处理或者在真空下保持的至少任何一种的工序；其后，至少在第一绝缘膜上形成第二开口部的工序。

公开(公告)号：CN101030561B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200710084220.7

申请日：2007-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  日本电气株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 宍田佳谦 ,  隣真一 ,  八木良太郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制起因于药液等液体侵入层间绝缘膜中的层间绝缘膜的劣化，并且能够利用规定的气体使层间绝缘膜的劣化回复。该半导体装置，具备形成于衬底上的第1绝缘膜、和形成于第1绝缘膜的表面的至少一部分上的，由难透过液体同时容易透过气体的材料构成的第1气液分离膜。

公开(公告)号：CN101030561A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710084220.7

申请日：2007-02-27

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  日本电气株式会社 ,  罗姆股份有限公司

Inventor： 宍田佳谦 ,  隣真一 ,  八木良太郎

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/532 ,  H01L21/00 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，能够抑制起因于药液等液体侵入层间绝缘膜中的层间绝缘膜的劣化，并且能够利用规定的气体使层间绝缘膜的劣化回复。该半导体装置，具备形成于衬底上的第1绝缘膜、和形成于第1绝缘膜的表面的至少一部分上的，由难透过液体同时容易透过气体的材料构成的第1气液分离膜。

公开(公告)号：CN102143808A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134502.0

申请日：2009-08-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  宍田佳谦 ,  本间运也

IPC: B06B1/14 ,  H02K33/16 ,  H04M1/00 ,  B06B1/04

CPC classification number: B06B1/045 ,  G06F3/016 ,  H02K33/16

Abstract: 本发明提供一种能够实现薄型化的线性电动机及具备线性电动机的携带式设备。在该线性电动机(100)中，涡卷状的线圈(141)具有第一部分(141a、141b)和第二部分(141c、141d)，由流过第一部分的电流产生的磁场的磁通的大小比由流过第二部分的电流产生的磁场的磁通的大小大。

公开(公告)号：CN101529712A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040492.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  宍田佳谦 ,  松原直辉 ,  村山佳树

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。

公开(公告)号：CN101529712B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780040492.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 成濑阳子 ,  宍田佳谦 ,  松原直辉 ,  村山佳树

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/006

Abstract: 本发明提供一种能够抑制电荷从驻极体膜流出的静电动作装置。该静电动作装置具备：包括可动电极(22)的可动电极部(20)；和固定电极部(10)，其设置为与可动电极部(20)间隔规定的距离而对置，并且包括能够蓄积电荷的驻极体膜(12)、以及形成在驻极体膜(12)的上表面的规定区域上的导电体层(13)，驻极体膜(12)的形成有导电体层(13)的区域的表面形成为凸状。