公开(公告)号：CN100370596C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410008536.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 本间运也 ,  松下重治

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

公开(公告)号：CN101093836A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710109088.0

申请日：2004-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 本间运也 ,  松下重治

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

公开(公告)号：CN100524773C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710109088.0

申请日：2004-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 本间运也 ,  松下重治

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/22 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

公开(公告)号：CN1536648A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410008536.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 本间运也 ,  松下重治

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57

Abstract: 本发明提供了一种存储器的制造方法，通过这种方法可以提高从存储单元读取信号的强度。这种存储器的制造方法包括以下工序：通过对形成于第1电极膜上的存储材料膜的一部分进行规定厚度的蚀刻，形成存储部和被蚀刻的薄膜部的工序；以至少覆盖存储材料膜的薄膜部的方式形成绝缘膜的工序；在绝缘膜上的规定区域形成蚀刻掩膜之后，使其作为蚀刻掩膜，通过对绝缘膜与存储材料膜的薄膜部进行蚀刻来将绝缘膜与存储材料膜的薄膜部图形化的工序。

公开(公告)号：CN102143808A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134502.0

申请日：2009-08-24

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  宍田佳谦 ,  本间运也

IPC: B06B1/14 ,  H02K33/16 ,  H04M1/00 ,  B06B1/04

CPC classification number: B06B1/045 ,  G06F3/016 ,  H02K33/16

Abstract: 本发明提供一种能够实现薄型化的线性电动机及具备线性电动机的携带式设备。在该线性电动机(100)中，涡卷状的线圈(141)具有第一部分(141a、141b)和第二部分(141c、141d)，由流过第一部分的电流产生的磁场的磁通的大小比由流过第二部分的电流产生的磁场的磁通的大小大。

公开(公告)号：CN102187552A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141589.4

申请日：2009-08-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫本英明 ,  宍田佳谦 ,  本间运也

IPC: H02K33/00

CPC classification number: H02K33/16 ,  H02K3/26

Abstract: 获得能够谋求薄型化的线性电动机。该线性电动机(100)具备：漩涡状的线圈(141、142、441、442)和可动部(120、220)，其在与漩涡状的线圈相对的面上包括具有第1极性的第1磁极面(121a)、以及具有与第1极性不同的第2极性的第2磁极面(122a)，并被设置为在沿着漩涡状的线圈的表面的方向上能够移动。