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发明公开
配线结构的形成方法无效

公开(公告)号：CN1527376A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410006520.X

申请日：2004-03-04

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宍田佳谦 , 渡边裕之

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76828 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76838

Abstract: 本发明提供一种配线结构的形成方法，它能够抑制由用于形成开口部的光致抗蚀剂膜产生的氮系化合物气体引起的图形不良的问题。该配线结构形成方法包括：在第一配线层上，形成第一绝缘膜以及用于抑制含氮气体透过的气体透过抑制膜的工序；在第一绝缘膜和气体透过抑制膜上形成第一开口部的工序；进行在第一开口部形成后实施热处理或者在真空下保持的至少任何一种的工序；其后，至少在第一绝缘膜上形成第二开口部的工序。

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