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公开(公告)号：CN1282240C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸，芯片固定在图形上，将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此，实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路，实现在用户侧安装时装置的小型化，但由于高频信号路径通过芯片之下，所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分，设置构成高频GND电位的导电图形，屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN100345286C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN02149804.0
申请日：2002-11-01
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4832 , H01L23/4824 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49844 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2223/6644 , H01L2223/6688 , H01L2224/05554 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H03K17/002 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置，现在的双联开关封装中有用户为调换输入端子而交叉的不方便。且封装外形也大，有即使芯片的小型化在进展也不能发挥优越性的问题。把一个引线在芯片下面绕过其它的图形延伸，把芯片粘合在图形上，将输入端子用焊接点连接在从芯片露出的引线上。这样实现在CSP的封装内实际交叉RF信号路径的电路，实现用户安装时的装置的小型化。
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公开(公告)号：CN101640178A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910163614.0
申请日：2009-07-30
Inventor： 境春彦
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
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公开(公告)号：CN1419284A
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：CN02149804.0
申请日：2002-11-01
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4832 , H01L23/4824 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49844 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2223/6644 , H01L2223/6688 , H01L2224/05554 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15313 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H03K17/002 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置，现在的双联开关封装中有用户为调换输入端子而交叉的不方便。且封装外形也大，有即使芯片的小型化在进展也不能发挥优越性的问题。把一个引线在芯片下面绕过其它的图形延伸，把芯片粘合在图形上，将输入端子用焊接点连接在从芯片露出的引线上。这样实现在CSP的封装内实际交叉RF信号路径的电路，实现用户安装时的装置的小型化。
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公开(公告)号：CN102522375B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110429499.4
申请日：2009-07-30
Inventor： 境春彦
IPC: H01L23/31 , H01L23/373
CPC classification number: B29C45/14655 , B29C45/0046 , B29C45/14065 , B29C45/2628 , B29C45/2708 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/4006 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102522375A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110429499.4
申请日：2009-07-30
Inventor： 境春彦
IPC: H01L23/31 , H01L23/373
CPC classification number: B29C45/14655 , B29C45/0046 , B29C45/14065 , B29C45/2628 , B29C45/2708 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/4006 , H01L23/49503 , H01L23/49562 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/48472 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
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公开(公告)号：CN1282241C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02150650.7
申请日：2002-11-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/49562 , H01L23/49844 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01039 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01032 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体装置。把化合物半导体芯片固定在冲裁框架的岛上、树脂密封的封装结构有封装尺寸的小型化不进展的问题。反向控制型的情况下，形成芯片尺寸变大、重新作图形成本也会增大的原因。本发明把两个图形在芯片下延伸、芯片固定在图形上，控制端子调换连接处。这样使用同一芯片同一图形、仅以焊接位置就可调换一般图形和反向控制型的图形，所以对用户的要求可迅速并灵活地应对，还可大幅度降低成本。由于是CSP，所以可大大有助于封装的小型化。
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公开(公告)号：CN1423325A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸,芯片固定在图形上,将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此,实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路,实现在用户侧安装时装置的小型化,但由于高频信号路径通过芯片之下,所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分,设置构成高频GND电位的导电图形,屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN101640178B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200910163614.0
申请日：2009-07-30
Inventor： 境春彦
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供半导体装置、半导体装置的制造方法及引线框。该半导体装置的制造方法及引线框容易使密封树脂蔓延到岛的内表面。在本发明的半导体装置的制造方法中，将安装有半导体装置的岛(12)的侧面形成为倾斜面(11)。这样，在自浇口(80)将密封树脂注入到注塑模具的模腔(66)中时，被注入的密封树脂与设置在岛(12)的侧面上的倾斜面(11)接触。于是，密封树脂沿着倾斜面(11)流动而被填充到岛(12)的下方的空间中。因而，由于较薄地覆盖岛(12)的下表面，因此，即使岛(12)的下方空间形成得较小，也能够将密封树脂无空隙地填充到该空间中。
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公开(公告)号：CN100388482C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410059339.5
申请日：2004-06-18
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73221 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置。现有单片双型MOSFET是并列两个MOSFET的芯片，使漏极电极短路的结构，故安装面积大，也不能降低漏极电极间的电阻，市场要求的小型化、薄型化也有限。本发明的半导体装置将两个MOSFET的半导体芯片的漏极电极之间直接连接，将两芯片重叠。在双型MOSFET中，不需要将漏极电极导出至外部，仅是两个栅极端子及两个源极端子，故将这四端子利用引线架或导电图案导出至外部。由此可实现装置的小型化及低导通电阻化。
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