公开(公告)号：CN101257042A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710161880.0

申请日：2007-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内藤慎哉 ,  藤原英明 ,  坛彻

IPC: H01L29/73

Abstract: 本发明提供一种能够充分抑制空穴的移动的半导体装置。该半导体装置(npn型的双极晶体管100)具备电荷移动防止膜(7)，其在n型集电层(2)、由P+扩撒层(4)、SiGe层(4)、SiGe层(5)以及p型硅膜(6)构成的基层、n型发射层(8)、n型集电层(2)和n型发射层(8)之间形成，且具有作为相对电子或空穴的任一方的势垒的效果。

公开(公告)号：CN100431044C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200410085731.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坛彻 ,  境直史 ,  松下重治 ,  石塚良行

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生剩余极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的剩余极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的剩余极化量的恢复动作。

公开(公告)号：CN101226957A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710147133.1

申请日：2007-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内藤慎哉 ,  藤原英明 ,  坛彻

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/43 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种可以抑制硅化反应进入到发射极层的半导体装置。该半导体装置(双极性晶体管100)，具备：扩散层(7)；硅化钴膜(9a)，其形成在扩散层(7)的表面上，由金属和半导体的金属半导体化合物构成；反应抑制层(8)，其形成在扩散层(7)和硅化钴膜(9a)之间，用于抑制从硅化钴膜(9a)扩散的金属的透过。

公开(公告)号：CN1604231A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410085731.7

申请日：2004-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坛彻 ,  境直史 ,  松下重治 ,  石塚良行

IPC: G11C11/22 ,  H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生残留极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的残留极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的残留极化量的恢复动作。