公开(公告)号：CN101257042A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200710161880.0

申请日：2007-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内藤慎哉 ,  藤原英明 ,  坛彻

IPC: H01L29/73

Abstract: 本发明提供一种能够充分抑制空穴的移动的半导体装置。该半导体装置(npn型的双极晶体管100)具备电荷移动防止膜(7)，其在n型集电层(2)、由P+扩撒层(4)、SiGe层(4)、SiGe层(5)以及p型硅膜(6)构成的基层、n型发射层(8)、n型集电层(2)和n型发射层(8)之间形成，且具有作为相对电子或空穴的任一方的势垒的效果。

公开(公告)号：CN101226957A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710147133.1

申请日：2007-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 内藤慎哉 ,  藤原英明 ,  坛彻

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/43 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种可以抑制硅化反应进入到发射极层的半导体装置。该半导体装置(双极性晶体管100)，具备：扩散层(7)；硅化钴膜(9a)，其形成在扩散层(7)的表面上，由金属和半导体的金属半导体化合物构成；反应抑制层(8)，其形成在扩散层(7)和硅化钴膜(9a)之间，用于抑制从硅化钴膜(9a)扩散的金属的透过。

公开(公告)号：CN1412853A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02147327.7

申请日：2002-10-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤原英明

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L29/66825 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0425 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324

Abstract: 本发明提供通过减少浮栅与控制的耦合比来增加扩散层与浮栅的耦合比，即使用低的扩散层电压也能够很容易进行高速写入的半导体存储器。该半导体存储器具有浮栅、与浮栅电容耦合并控制浮栅的电位用的第1扩散层、以及与浮栅相对配置的控制栅。而且，在进行删除动作时，从控制栅向浮栅流过隧道电流的方向是与半导体基板的主表面实质上平行的方向。这样，即使控制栅在浮栅的上方没有重叠区，也能够通过从浮栅拉出载流子而流过隧道电流。

公开(公告)号：CN101136625A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147130.8

申请日：2007-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 米田阳树 ,  藤原英明

IPC: H03K17/041 ,  H03K17/567 ,  H03K17/60 ,  H01L27/06

Abstract: 一种半导体装置(1)，具备反相器(14)和双极性晶体管(13)，该反相器(14)具备：分别包括源极、漏极和栅极电极的、且相互间所述漏极区域连接的、相互间所述栅极电极彼此连接的NMOSFET(11)和PMOSFET(12)；该双极性晶体管(13)包括集电极(C)、基极(B)和发射极(E)，且该基极(B)被输入了反相器(14)的输出。从而提供一种高耐压、且导通电阻低、断开时间短、可稳定动作的半导体装置。

公开(公告)号：CN1873985A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089940.8

申请日：2006-05-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 藤原英明

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 提供一种可以一边抑制栅极的耗尽化，一边降低电子移动性的退化的半导体元件。该半导体装置的第一栅极以及第二栅极的至少一方包含有：金属含有层，形成为部分地覆盖对应的第一栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜；半导体层，形成于金属含有层上，且接触于对应的第一栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜的未被金属含有层覆盖的部分。又，第一栅极以及第二栅极包含有相互不同的金属。