-
公开(公告)号：CN100458969C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410075264.X
申请日：2004-09-13
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种能够抑制扰动现象的存储器。该存储器，在对一部分所述选择存储单元进行重写动作，或者对全体选择存储单元都不进行重写动作时，选择字线以及与不被重写的存储单元对应的各个位线，在将互相之间的电位差维持在给定值以下的情况下进行升压，同时，让向选择字线以及与被重写的所述存储单元对应的各个位线施加用于重写的电压的期间长度，与字线以及与不被重写的存储单元对应的位线中至少任一方的电位迁移期间长度不一样。
-
公开(公告)号：CN1604231A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410085731.7
申请日：2004-09-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/22 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供能抑制未选择存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器具有由包含位线、配置为与位线交叉的字线、连接在位线和字线之间的存储单元的存储单元阵列，由于对选择的存储单元访问，在任意的存储单元中发生残留极化量的恶化后，对全部存储单元进行用于恢复到写入动作后的残留极化量或外加1次在访问时未选择的存储器上作用的电压的残留极化量的恢复动作。
-
公开(公告)号：CN1595529A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410075264.X
申请日：2004-09-13
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种能够抑制扰动现象的存储器。该存储器，在对一部分所述选择存储装置进行重写动作，或者对全体选择存储装置都不进行重写动作时，选择字线以及与不被重写的存储装置对应的各个位线，在将互相之间的电位差维持在给定值以下的情况下进行升压，同时，让向选择字线以及与被重写的所述存储装置对应的各个位线施加用于重写的电压的期间长度，与字线以及与不被重写的存储装置对应的位线中至少任一方的电位迁移期间长度不一样。
-
-
公开(公告)号：CN100472649C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510106303.2
申请日：2005-09-21
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 境直史
IPC: G11C11/22 , G11C7/00 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种能够容易地设定参考电位，同时能够正确地判断数据的存储器。该存储器具备：保持数据的强电介质电容器，以及与强电介质相连接的驱动线以及数据线。这样，在数据的读出时，通过经驱动线给强电介质电容器施加电压脉冲，在强电介质电容器保持有第1数据的情况下，在数据线中产生负电位，在强电介质电容器中保持有第2数据的情况下，在数据线中产生正电位。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100416699C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410068725.0
申请日：2004-09-06
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种能够小型化的半导体存储装置。该半导体存储装置具备：存储单元阵列区域，其包含具有互相交叉配置的字线及位线、与字线及位线连接的存储机构的多个存储单元；和转移栅极晶体管，其配置在存储单元阵列区域的下方，转移栅极晶体管的杂质区域在俯视状态下形成为具有长边方向与短边方向的形状，位线配置为：在转移栅极晶体管的杂质区域的长边方向的至少一部分区域内与所述杂质区域平面重叠，位线与转移栅极晶体管的杂质区域平面重叠的区域，具有与转移栅极晶体管的杂质区域相同的电位。因此，可以扩大具有相同电位的区域的面积，可以容易地缩小位线的寄生电容，从而可以使半导体存储装置小型化。
-
公开(公告)号：CN1969338A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019279.7
申请日：2005-06-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供一种能抑制非选择存储器单元的数据消失的干扰现象。该存储器具备存储器单元阵列(1)，其包括：位线；配置为与位线交叉的字线；连接在位线与字线之间的存储器单元(12)。而且，在该存储器中，通过对所选择的存储器单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作，向存储器单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲，其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场，第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场，并且对存储器单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。
-
公开(公告)号：CN1770317A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510106303.2
申请日：2005-09-21
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 境直史
IPC: G11C11/22 , G11C7/00 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种能够容易地设定参考电位，同时能够正确地判断数据的存储器。该存储器具备：保持数据的强电介质电容器，以及与强电介质相连接的驱动线以及数据线。这样，在数据的读出时，通过经驱动线给强电介质电容器施加电压脉冲，在强电介质电容器保持有第1数据的情况下，在数据线中产生负电位，在强电介质电容器中保持有第2数据的情况下，在数据线中产生正电位。
-
公开(公告)号：CN1649031A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510004322.4
申请日：2005-01-13
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 境直史
IPC: G11C11/409 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非选择的存储单元的数据消失的干扰现象的存储器。该存储器在对连接在所选择的字线上的所有存储单元总括进行读出动作的基础上，至少还对非选择的存储单元施加和读出动作中施加在非选择的存储单元上的第一电压极性相反的第二电压。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.028 seconds)
