公开(公告)号：CN110272438A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910053529.2

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  原野一树 ,  佐藤晴义 ,  白鸟翼 ,  山田直树

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40

Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]

公开(公告)号：CN109154080B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。

公开(公告)号：CN106336422A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN106336422B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610529169.5

申请日：2016-07-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  金润洙 ,  林载顺 ,  曹仑廷 ,  佐藤晴义 ,  山田直树 ,  内生藏广幸

IPC: C07F5/00 ,  H01L21/02

Abstract: 公开镧化合物、合成镧化合物的方法、镧前体组合物、形成薄膜的方法和集成电路器件的制法。通过使三[二(三烷基甲硅烷基)氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应而合成含硅中间体。通过使所述含硅中间体与基于二烷基脒的化合物反应而合成镧化合物。

公开(公告)号：CN109154080A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031611.4

申请日：2017-02-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 佐藤宏树 ,  山田直树 ,  白鸟翼 ,  佐藤晴义

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/316

Abstract: 一种薄膜形成用原料，其含有以下述通式(1)表示的化合物而成：【化1】式中，R1是表示碳原子数2～4的直链或分支状的烷基，R2～R5各自独立表示碳原子数1～4的直链或分支状的烷基，A是表示碳原子数1～4的烷二基，M是表示钛、锆或铪；但，M为锆时，A是碳原子数3或4的烷二基。M为钛及铪时，A是碳原子数2或3的烷二基是优选的。M为锆时，A是碳原子数3的烷二基是优选的。