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公开(公告)号：CN119893314A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411484662.0
申请日：2024-10-23
Abstract: 一种图像获取设备包括：第一图像传感器，具有第一空间分辨率，并且被配置为基于第一波段获取第一图像；第二图像传感器，具有比第一空间分辨率低的第二空间分辨率，并且被配置为基于比第一波段宽的第二波段获取第二图像；以及处理器，被配置为：通过使用第一图像传感器和第二图像传感器之间的相对位置信息来配准第一图像和第二图像；生成第三图像，其中，通过用第二图像的颜色分量替换第一图像的颜色分量来确定第三图像的颜色分量；以及生成第四图像，其中，通过利用阿尔法混合对第一图像的颜色分量和第三图像的颜色分量进行合成来确定第四图像的颜色分量。
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公开(公告)号：CN119543968A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411141808.1
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括用于隔离的开关的RF电路和包括其的无线通信装置。所述RF电路包括：第一端口和第二端口，接收第一RF信号和第二RF信号；第（1‑1）放大级和第（1‑2）放大级，连接到第一端口和第一地以对第一RF信号进行放大；第（2‑1）放大级和第（2‑2）放大级，连接到第二端口和第二地以对第二RF信号进行放大；第（1‑1）开关和第（1‑2）开关，第（1‑1）开关连接到第（1‑1）放大级和第二地，第（1‑2）开关连接到第（1‑2）放大级和第二地；第（2‑1）开关和第（2‑2）开关，第（2‑1）开关连接到第（2‑1）放大级和第一地，第（2‑2）开关连接到第（2‑2）放大级和第一地；以及混频器级，将第一RF信号或第二RF信号与LO信号进行混频。
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公开(公告)号：CN117594619A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310968169.5
申请日：2023-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , B82Y20/00 , H04N25/77 , H04N25/772 , H04N25/78 , H04N25/71 , H04N25/79
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括用于感测第一波段的光的多个第一像素和用于感测第二波段的光的多个第二像素，第二波段不同于第一波段；滤色器层，在传感器基板上并包括多个滤色器；平坦化层，布置在滤色器层上；封装层，布置在平坦化层上；以及纳米光子透镜阵列，布置在封装层上并包括多个纳米结构，该多个纳米结构被布置为将入射光会聚到多个第一像素和多个第二像素上。
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公开(公告)号：CN108702403A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011170.1
申请日：2017-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种电子装置，所述电子装置包括：外壳，具有第一表面、第二表面和侧表面；触摸屏显示器，包括与第一表面基本平行的导电平面；印刷电路板，位于触摸屏显示器和第二表面之间，并基本与导电平面平行；无线通信电路；侧构件，形成侧表面的至少一部分，其中，侧构件包括：第一延长部件，包围导电平面的至少一部分并由非导电材料形成，以及第二延长部件，包围印刷电路板的至少一部分并不包围导电平面的任何部分，并与第一延长部件平行地延伸。第二延长部件由导电材料形成，并被电耦合到无线通信电路。
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公开(公告)号：CN103872138B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347368B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN102347368A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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公开(公告)号：CN101799628A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010121441.9
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/102 , B82Y30/00 , H01L51/0023 , H01L51/0512 , Y10T428/24802 , Y10T428/24917 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管。具体而言，本发明公开包括在一个末端具有乙炔基的化合物的表面改性剂、使用该表面改性剂制造的叠层结构体、制造该叠层结构体的方法、以及包括该叠层结构体的晶体管。
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公开(公告)号：CN101355138A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200710137394.5
申请日：2007-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/105 , C07F9/091 , C07F9/094 , C07F9/2408 , C07F9/2429 , H01L51/0075 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明披露一种包括磷酸酯类自组装单层的有机薄膜晶体管及其制造方法。本发明披露一种有机薄膜晶体管及其制造方法，该有机薄膜晶体管在源电极/漏电极和有机半导体之间可包括没有分子间交联的单键型磷酸酯类自组装单层，从而显示出改进的电性能，例如提高的电荷迁移率。
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