公开(公告)号：CN102136499B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201110031440.X

申请日：2011-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亿洙 ,  李相润 ,  柳明官 ,  朴敬培

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT可包括浮置沟道和绝缘层，浮置沟道在沟道表面上形成为与源极和漏极分隔开，绝缘层形成在浮置沟道上并设计为控制浮置沟道与源极或漏极之间的距离。

公开(公告)号：CN102136499A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110031440.X

申请日：2011-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亿洙 ,  李相润 ,  柳明官 ,  朴敬培

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT可包括浮置沟道和绝缘层，浮置沟道在沟道表面上形成为与源极和漏极分隔开，绝缘层形成在浮置沟道上并设计为控制浮置沟道与源极或漏极之间的距离。

公开(公告)号：CN102347368B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。

公开(公告)号：CN102347368A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110115503.X

申请日：2011-04-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴敬培 ,  金炫奭 ,  柳明官 ,  李相润 ,  李光熙 ,  金兑相 ,  金亿洙 ,  孙暻锡 ,  孟完柱 ,  朴晙皙

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。