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公开(公告)号：CN103855194A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310633699.0
申请日：2013-12-02
IPC: H01L29/24 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了半导体材料、包括半导体材料的晶体管和包括晶体管的电子装置。半导体材料可以包括锌、氮和氟。半导体材料还可以包括氧。半导体材料可以包括化合物。例如，半导体材料可以包括氟氧氮化锌。半导体材料可以包括含有氟的氮氧化锌。半导体材料可以包括氟氮化锌。半导体材料可以被应用为薄膜晶体管（TFT）的沟道材料。
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公开(公告)号：CN100470309C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200480043174.0
申请日：2004-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G09G3/3426 , G09G3/3413 , G09G2320/0606 , G09G2320/0633 , G09G2320/0666
Abstract: 提供了一种具有LCD面板的LCD装置，在LCD面板上显示图像，该LCD装置包括：背光阵列，在所述背光阵列中利用多个颜色来照亮LCD面板的多个发光器件被排列为预定的图案。背光驱动器驱动每一个发光器件发光并调整光强；以及控制器，用于控制背光驱动器调整显示在LCD面板上的图像的白平衡。利用这种配置，提供了一种在不损失可表示的亮度等级(即亮度)和不降低对比率的情况下来调整白平衡的LCD装置。还包括了一种其中根据输入视频信号的格式来调整白平衡的LCD装置。
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公开(公告)号：CN112135553B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201980031671.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于执行清洁操作的机器人清洁设备以及为此提供了一种清洁需要清洁的空间的方法。该方法包括获取指示需要清洁的空间的污染级别的污染数据，基于污染数据获取污染地图数据，基于当前时间和污染地图数据确定需要清洁的空间中的至少一个清洁目标区域，以及清洁所确定的至少一个清洁目标区域。该方法和设备可涉及通过使用诸如深度学习的机器学习算法来模拟人脑的功能(例如，认知和决策)的人工智能(AI)系统及其应用。
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公开(公告)号：CN1523566A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN200310125462.8
申请日：2003-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G5/00 , G09G2330/02
Abstract: 一种用于产生高压调节信号来控制显示器调节的装置，包括：脉冲发生器，用于产生脉冲；参考信号发生器，利用从脉冲发生器产生的脉冲产生一具有期望占空比的参考信号；以及高压信号发生器，其根据来自脉冲发生器的脉冲和反馈调节输出电压来产生一个具有由参考信号控制的占空比的开关信号，并根据该开关信号产生高压调节信号，其中所述反馈调节输出电压是基于高压调节信号的。
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公开(公告)号：CN103296087A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310038706.2
申请日：2013-01-31
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 一种晶体管可以包括在包括氮氧化物的沟道层与电连接到该沟道层的电极之间的空穴阻挡层。该空穴阻挡层可以设置在该沟道层与源电极和漏电极的至少之一之间的区域中。该沟道层可以包括例如锌氮氧化物（ZnON）。空穴阻挡层的价带最高能级可以低于沟道层的价带最高能级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1307609C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200310125462.8
申请日：2003-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G5/00 , G09G2330/02
Abstract: 一种用于产生高压调节信号来控制显示器调节的装置，包括：脉冲发生器，用于产生脉冲；参考信号发生器，利用从脉冲发生器产生的脉冲产生一具有期望占空比的参考信号；以及高压信号发生器，其根据来自脉冲发生器的脉冲和反馈调节输出电压来产生一个具有由参考信号控制的占空比的开关信号，并根据该开关信号产生高压调节信号，其中所述反馈调节输出电压是基于高压调节信号的。
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公开(公告)号：CN103872138B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN102347368B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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公开(公告)号：CN103872138A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310665394.8
申请日：2013-12-10
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/1214 , H01L29/1033 , H01L29/66742
Abstract: 根据示例实施方式，一种晶体管可以包括：彼此层叠的栅极电极、栅极绝缘层和沟道层；以及源极电极和漏极电极，分别接触沟道层的第一区和第二区。沟道层可以包括金属氮氧化物。沟道层的第一区和第二区可以是用包含氢的等离子体处理的区域，并且第一区和第二区具有比沟道层的剩余区域中的载流子浓度高的载流子浓度。沟道层的第一区和第二区可以具有比沟道层的剩余区域低的氧浓度和比其高的氮浓度。沟道层的金属氮氧化物可以包括锌氮氧化物(ZnON）基的半导体。
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公开(公告)号：CN102347368A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110115503.X
申请日：2011-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了晶体管、制造所述晶体管的方法及包括所述晶体管的平板显示器。所述晶体管可以包括具有多层结构的氧化物沟道层。沟道层可包括从栅极绝缘层顺序地布置的第一层和第二层。第一层可以是导体，第二层可以是导电率比第一层的导电率低的半导体。第一层可根据栅极电压条件变成耗尽区。
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