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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119543968A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411141808.1
申请日：2024-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了包括用于隔离的开关的RF电路和包括其的无线通信装置。所述RF电路包括：第一端口和第二端口，接收第一RF信号和第二RF信号；第（1‑1）放大级和第（1‑2）放大级，连接到第一端口和第一地以对第一RF信号进行放大；第（2‑1）放大级和第（2‑2）放大级，连接到第二端口和第二地以对第二RF信号进行放大；第（1‑1）开关和第（1‑2）开关，第（1‑1）开关连接到第（1‑1）放大级和第二地，第（1‑2）开关连接到第（1‑2）放大级和第二地；第（2‑1）开关和第（2‑2）开关，第（2‑1）开关连接到第（2‑1）放大级和第一地，第（2‑2）开关连接到第（2‑2）放大级和第一地；以及混频器级，将第一RF信号或第二RF信号与LO信号进行混频。
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公开(公告)号：CN116068258A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211314553.5
申请日：2022-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01R19/165
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括连接到至少一个焊盘的内部电路。第一电感器元件连接在至少一个焊盘和内部电路之间，第二电感器元件耦合到第一电感器元件，并由于在第一电感器元件中流动的过电流而生成感应电压。事件检测电路包括连接到第二电感器元件的监测元件。监测元件被配置为通过感测由在第二电感器元件中生成的感应电压和在第二电感器元件中流动的电流中的至少一个引起的监测元件的特性改变来生成事件检测信号。内部电路向事件检测电路供应操作电压，并通过从事件检测电路接收事件检测信号来确定是否已发生了引起过电流的事件。
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公开(公告)号：CN117219528A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310429834.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/60 , H01L21/67 , H01L27/02 , H01L23/544
Abstract: 一种IC包括：焊盘；电流检测器件，连接到焊盘，并且被配置为生成与静电放电(ESD)事件相对应的监测信息；以及内部电路，被配置为从电流检测器件接收监测信息，其中，电流检测器件包括：电流感测电路，具有T线圈，该T线圈被配置为当ESD事件发生时生成ESD电流，并且还被配置为生成与ESD电流相对应的感应电压；多个检测电路，基于感应电压输出检测信号；以及监测电路，被配置为从多个检测电路中的每一个接收检测信号，并且被配置为生成监测信息，其中，多个检测电路对感应电压具有不同的灵敏度。
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公开(公告)号：CN115706061A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210954405.3
申请日：2022-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体封装包括封装板、设置在封装板上的至少一个半导体芯片、设置在封装板上并至少部分地围绕所述至少一个半导体芯片的模制构件、以及设置在所述至少一个半导体芯片和模制构件上的散热构件。模制构件具有第一区域和第二区域，多个不平坦结构设置在第一区域中，第二区域通过所述多个不平坦结构与外部区域间隔开。所述多个不平坦结构远离半导体芯片、模制构件和散热构件突出到预定高度，并可以形成为散热构件的一部分、或者被单独地形成。
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公开(公告)号：CN114252714A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111093625.3
申请日：2021-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在一种涉及执行静电放电(ESD)测试的制造集成电路的方法中，通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括集成电路的第一测试板上来检测弱频带。通过将多个第一电磁波顺序地辐射在包括电磁波接收模块的第二测试板上来检测第一峰峰电压信号。通过将第二电磁波辐射在包括具有电磁波接收模块的第三测试板的壳体上来检测频谱。基于弱频带、第一峰峰电压信号和频谱来产生第二峰峰电压信号。基于第二峰峰电压信号来预测与包括集成电路的电子系统相关联的ESD特性。
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