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公开(公告)号：CN116656364A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310140919.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L21/311
Abstract: 一种蚀刻气体混合物包括含氮化合物和惰性气体。为了制造集成电路(IC)器件，通过使用从该蚀刻气体混合物产生的等离子体来蚀刻衬底上的含硅膜，并且因此在含硅膜中形成孔。含氮化合物选自由式1表示的化合物和由式2表示的化合物：[式1](R1)C≡N其中，在式1中，R1是C2至C3直链或支链全氟烷基，[式2](R2)(R3)C＝NH其中，在式2中，R2和R3中的每一个独立地为C1至C2直链全氟烷基。
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公开(公告)号：CN110832623B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201880041923.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 提供了一种蚀刻方法和一种等离子体蚀刻材料，该蚀刻方法对含氧化硅的膜具有快速蚀刻速率并且可以选择性地蚀刻含氧化硅的膜。该蚀刻方法包括通过将含卤化烃的气体和含C4F6O3的气体引入等离子体反应室中并且通过等离子体在该等离子体反应室中形成活性物质来蚀刻含Si材料。
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公开(公告)号：CN116848215A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202180093364.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 披露了用于在反应腔室中在高纵横比(HAR)蚀刻工艺期间在衬底中形成HAR结构的方法，该方法包括：使该衬底顺序地或同时暴露于包括氢氟烃或碳氟化合物的蚀刻剂和添加剂化合物的蒸气，该衬底具有设置在其上的膜和设置在该膜上的图案化的掩膜层；活化等离子体以产生活化的氢氟烃或碳氟化合物和活化的添加剂化合物；以及允许在该图案化的掩膜层未覆盖的该膜与该活化的氢氟烃或碳氟化合物和该活化的添加剂化合物之间进行蚀刻反应以从该图案化的掩膜层选择性地蚀刻该膜，由此形成HAR图案化的结构。
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公开(公告)号：CN110178206A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780081811.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L27/11582
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1-3，x＝0-6，y＝1-7，z＝1-2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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公开(公告)号：CN118401699A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082868.3
申请日：2022-12-13
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor： 阮风 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 南森·斯塔福德 , 郭翔宇
IPC: C23C16/32
Abstract: 一种用于在基底材料上沉积含碘膜的方法包括：将该基底材料暴露于成膜组合物的蒸气中，该成膜组合物包含具有式CaHxIyFz的含碘前体，其中a＝1‑10，x>0，y>1，z>0，x+y+z＝a、2a或2a+2；前提是当a＝1，x＝2并且z＝0时，y不等于2，并且通过气相沉积法在该基底材料上沉积由该含碘前体形成的该含碘膜。该方法进一步包括将该基底材料暴露于共反应物含氮分子的蒸气中，该共反应物含氮分子具有通式CxHyFzNHa，其中x＝1‑6，y＝0‑13，z＝0‑13并且a＝1‑2，或CxHyFzN‑R1，其中x＝1‑6，y＝0‑13，z＝0‑13，并且R1是C1‑C5烃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117043126A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023762.6
申请日：2022-03-03
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C07C17/389
Abstract: 用于纯化含有至少一种不期望的卤烃杂质的氟烃或氢氟烃的方法包括使该氟烃或氢氟烃流过至少一个吸附剂床以通过物理吸附和/或化学吸附选择性地吸附该至少一种不期望的卤烃杂质，其中该至少一个吸附剂床在惰性气氛中、含有负载在吸附剂上的金属氧化物。
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公开(公告)号：CN106663624B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号：CN113056811B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980076275.4
申请日：2019-12-12
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , B01J3/02
Abstract: 披露了用于供应不含F3NO含FNO的气体的系统和方法以及用于使用所述不含F3NO含FNO的气体进行蚀刻的系统和方法。所述系统包括用于储存所述不含F3NO含FNO的气体的具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒、用于从所述筒释放所述不含F3NO含FNO的气体的筒阀、用于将所述不含F3NO含FNO的气体输送至目标反应器的包括压力调节器和管线部件的歧管组件。在所述歧管组件中所述压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压，从而将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。气态组合物包含含有按体积计小于大约1％的F3NO杂质的不含F3NO的FNO气体和能够抑制所述不含F3NO的FNO气体中的F3NO杂质的浓度的惰性气体。
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公开(公告)号：CN111816559B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
Abstract: 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
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公开(公告)号：CN110178206B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780081811.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor： 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤：将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中，其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz，其中a＝1‑3，x＝0‑6，y＝1‑7，z＝1‑2，当a＝1时x+y+z＝4，当a＝2时x+y+z＝4或6，并且当a＝3时x+y+z＝6或8；将惰性气体引入该反应腔室中；以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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