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公开(公告)号：CN116656364A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310140919.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C09K13/00 , H01L21/311
Abstract: 一种蚀刻气体混合物包括含氮化合物和惰性气体。为了制造集成电路(IC)器件，通过使用从该蚀刻气体混合物产生的等离子体来蚀刻衬底上的含硅膜，并且因此在含硅膜中形成孔。含氮化合物选自由式1表示的化合物和由式2表示的化合物：[式1](R1)C≡N其中，在式1中，R1是C2至C3直链或支链全氟烷基，[式2](R2)(R3)C＝NH其中，在式2中，R2和R3中的每一个独立地为C1至C2直链全氟烷基。
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