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公开(公告)号：CN110832623B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201880041923.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 提供了一种蚀刻方法和一种等离子体蚀刻材料，该蚀刻方法对含氧化硅的膜具有快速蚀刻速率并且可以选择性地蚀刻含氧化硅的膜。该蚀刻方法包括通过将含卤化烃的气体和含C4F6O3的气体引入等离子体反应室中并且通过等离子体在该等离子体反应室中形成活性物质来蚀刻含Si材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113056811B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201980076275.4
申请日：2019-12-12
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , B01J3/02
Abstract: 披露了用于供应不含F3NO含FNO的气体的系统和方法以及用于使用所述不含F3NO含FNO的气体进行蚀刻的系统和方法。所述系统包括用于储存所述不含F3NO含FNO的气体的具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒、用于从所述筒释放所述不含F3NO含FNO的气体的筒阀、用于将所述不含F3NO含FNO的气体输送至目标反应器的包括压力调节器和管线部件的歧管组件。在所述歧管组件中所述压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压，从而将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。气态组合物包含含有按体积计小于大约1％的F3NO杂质的不含F3NO的FNO气体和能够抑制所述不含F3NO的FNO气体中的F3NO杂质的浓度的惰性气体。
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公开(公告)号：CN111512420A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880084246.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 披露了用于各向同性蚀刻HAR孔的侧壁上的含硅层的方法。该HAR孔通过等离子体蚀刻第一含硅层和第二含硅层的交替层的堆叠而形成，该第二含硅层与该第一含硅层不同。披露的方法包括以下步骤：a)将含氟蚀刻气体引入该反应器中，该含氟蚀刻气体选自由FNO、F3NO、FNO2及其组合组成的组；和b)通过用该含氟蚀刻气体相对于这些第一含硅层选择性地蚀刻这些第二含硅层来移除这些第二含硅层的至少一部分，以在该HAR孔的侧壁上产生在这些第一含硅层之间的凹槽。所披露的工艺是循环蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN111512420B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880084246.8
申请日：2018-12-14
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , H10B41/27 , H10B43/27
Abstract: 披露了用于各向同性蚀刻HAR孔的侧壁上的含硅层的方法。该HAR孔通过等离子体蚀刻第一含硅层和第二含硅层的交替层的堆叠而形成，该第二含硅层与该第一含硅层不同。披露的方法包括以下步骤：a)将含氟蚀刻气体引入该反应器中，该含氟蚀刻气体选自由FNO、F3NO、FNO2及其组合组成的组；和b)通过用该含氟蚀刻气体相对于这些第一含硅层选择性地蚀刻这些第二含硅层来移除这些第二含硅层的至少一部分，以在该HAR孔的侧壁上产生在这些第一含硅层之间的凹槽。所披露的工艺是循环蚀刻工艺。
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公开(公告)号：CN113056811A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201980076275.4
申请日：2019-12-12
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302 , B01J3/02
Abstract: 披露了用于供应不含F3NO含FNO的气体的系统和方法以及用于使用所述不含F3NO含FNO的气体进行蚀刻的系统和方法。所述系统包括用于储存所述不含F3NO含FNO的气体的具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒、用于从所述筒释放所述不含F3NO含FNO的气体的筒阀、用于将所述不含F3NO含FNO的气体输送至目标反应器的包括压力调节器和管线部件的歧管组件。在所述歧管组件中所述压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压，从而将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。气态组合物包含含有按体积计小于大约1％的F3NO杂质的不含F3NO的FNO气体和能够抑制所述不含F3NO的FNO气体中的F3NO杂质的浓度的惰性气体。
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公开(公告)号：CN110832623A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880041923.8
申请日：2018-06-20
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 提供了一种蚀刻方法和一种等离子体蚀刻材料，该蚀刻方法对含氧化硅的膜具有快速蚀刻速率并且可以选择性地蚀刻含氧化硅的膜。该蚀刻方法包括通过将含卤化烃的气体和含C4F6O3的气体引入等离子体反应室中并且通过等离子体在该等离子体反应室中形成活性物质来蚀刻含Si材料。
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