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公开(公告)号:CN117120660A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202280027149.1
申请日:2022-03-04
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 刘玉民 , R·A·阿特亚加穆勒 , 尼古拉斯·布拉斯科 , 让-马克·吉拉尔 , 李峰 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 高政宁
IPC: C23C16/08
Abstract: 一种用于在衬底表面上气相沉积金属或金属氮化物膜的方法包括:使金属氧或金属卤氧化物前体与亲氧试剂在容纳有该衬底的反应器中反应以使该金属氧或金属卤氧化物前体脱氧,和通过气相沉积工艺在该衬底上形成该金属或金属氮化物膜。将该衬底同时或依次暴露于该金属卤氧化物前体和该亲氧试剂。在脱氧之后,将该衬底依次暴露于还原剂。
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公开(公告)号:CN116884838A
公开(公告)日:2023-10-13
申请号:CN202311017020.5
申请日:2017-12-29
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤:将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中,其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz,其中a=1‑3,x=0‑6,y=1‑7,z=1‑2,当a=1时x+y+z=4,当a=2时x+y+z=4或6,并且当a=3时x+y+z=6或8;将惰性气体引入该反应腔室中;以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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公开(公告)号:CN116615574A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202180072997.X
申请日:2021-10-06
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: K·迪莫兹 , B·麦基翁 , 克洛迪娅·法法尔德 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC: C23C16/18
Abstract: 披露了包含含有卤素的含In(III)前体的含铟(In)的成膜组合物、其合成方法和使用其以沉积含铟膜和/或含铟合金膜的方法。所披露的含In(III)前体含有具有氮基配体的氯。特别地,所披露的含In(III)前体含有1或2个脒基配体、1或2个亚氨基吡咯烷基配体、1或2个酰胺氨基烷烃配体、1或2个μ‑双烯酮亚胺配体或甲硅烷基胺配体。所披露的含In(III)前体适用于含铟膜和/或含铟合金膜的气相沉积(例如,ALD、CVD)。
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公开(公告)号:CN116157551A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202180061144.6
申请日:2021-06-18
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 让-马克·吉拉尔 , 尼古拉斯·布拉斯科 , 克洛迪娅·法法尔德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼
IPC: C23C16/42
Abstract: 披露了一种形成SAM的组合物,其包含具有主链的SAM单体或前体,该主链具有表面反应性基团,其中该主链不包含Si‑C键并且选自由无Si‑C键的聚硅烷和三甲硅烷基胺组成的组。披露了该表面反应性基团用于分别是电介质表面和金属表面的待覆盖的表面。还披露了一种在表面上形成SAM的方法,以及一种在该SAM上形成膜的方法。
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公开(公告)号:CN107002236B
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201580050013.2
申请日:2015-09-23
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 克洛迪娅·法法尔德 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 让-马克·吉拉尔
IPC: C23C16/36 , C23C16/34 , C23C16/32 , C23C16/30 , C23C16/24 , C23C16/40 , C07F7/10 , C07F7/08 , C07F7/02
Abstract: 披露了包含碳硅烷取代的胺前体的含Si膜形成组合物。该碳硅烷取代的胺前体具有式(R1)aN(‑SiHR2‑CH2‑SiH2R3)3‑a,其中a=0或1;R1是H、C1至C6烷基、或卤素;R2和R3各自独立地是H;卤素;具有式OR’的烷氧基,其中R’是烷基(C1至C6);或具有式NR”2的烷基氨基,其中每个R”独立地是H、C1‑C6烷基、C1‑C6烯基、或C3‑C10芳基或杂环基。还披露了合成该碳硅烷取代的胺前体的方法及它们用于沉积工艺的用途。
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公开(公告)号:CN118679138A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202380021433.2
申请日:2023-02-07
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 金大玹 , 宋浚贤 , 卢沅泰 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC: C07C49/12
Abstract: 所披露的镧系元素前体化合物包含具有至少一个脂族基团作为取代基的环戊二烯基配体和至少一个二齿配体。这些前体适用于沉积含镧系元素的膜。
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公开(公告)号:CN118140296A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202280069330.9
申请日:2022-10-25
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: R·A·阿特亚加穆勒 , 让-马克·吉拉尔 , 尤利安·伽蒂诺 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC: H01L21/3065 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: [目的]提供一种形成含钌层的方法和一种层合体,其中该含钌层选择性地形成在衬底上形成的用于图案形成的掩模表面上作为能够抑制蚀刻残余物产生的保护层,而不需要形成选择性引诱剂要素。[解决方案]一种方法,其包括提供具有可氧化层的衬底的制备步骤,以及使用四氧化钌通过气相沉积在可氧化层上沉积含钌层的沉积步骤,其中该可氧化层包含碳原子。
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公开(公告)号:CN110178206B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN201780081811.0
申请日:2017-12-29
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 孙卉 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆 , 南森·斯塔福德 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 文森特·M·欧马杰 , 詹姆斯·罗耶
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H10B41/20 , H10B43/20 , H10B12/00
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤:将含碘蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中,其中该含碘蚀刻化合物具有式CaHxFyIz,其中a=1‑3,x=0‑6,y=1‑7,z=1‑2,当a=1时x+y+z=4,当a=2时x+y+z=4或6,并且当a=3时x+y+z=6或8;将惰性气体引入该反应腔室中;以及活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含碘蚀刻化合物。
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公开(公告)号:CN115394641A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202211081337.0
申请日:2016-08-30
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC: H01L21/311 , C09K13/00
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤:将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中,其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C=N官能团的有机氟化合物;将惰性气体引入该反应腔室中;并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。
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公开(公告)号:CN107924842B
公开(公告)日:2022-09-06
申请号:CN201680048436.5
申请日:2016-08-30
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 维贾伊·苏尔拉 , 拉胡尔·古普塔 , 文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆
IPC: H01L21/311 , C07C251/08 , C07C251/26 , C07C255/10
Abstract: 披露了一种用于蚀刻含硅膜的方法。该方法包括以下步骤:将含氮蚀刻化合物的蒸气引入基板上含有含硅膜的反应腔室中,其中该含氮蚀刻化合物是含有至少一个C≡N或C=N官能团的有机氟化合物;将惰性气体引入该反应腔室中;并且活化等离子体以产生能够从该基板蚀刻该含硅膜的经活化的含氮蚀刻化合物。
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