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公开(公告)号:CN118401699A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202280082868.3
申请日:2022-12-13
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
Inventor: 阮风 , 法布里齐奥·马切吉亚尼 , 南森·斯塔福德 , 郭翔宇
IPC: C23C16/32
Abstract: 一种用于在基底材料上沉积含碘膜的方法包括:将该基底材料暴露于成膜组合物的蒸气中,该成膜组合物包含具有式CaHxIyFz的含碘前体,其中a=1‑10,x>0,y>1,z>0,x+y+z=a、2a或2a+2;前提是当a=1,x=2并且z=0时,y不等于2,并且通过气相沉积法在该基底材料上沉积由该含碘前体形成的该含碘膜。该方法进一步包括将该基底材料暴露于共反应物含氮分子的蒸气中,该共反应物含氮分子具有通式CxHyFzNHa,其中x=1‑6,y=0‑13,z=0‑13并且a=1‑2,或CxHyFzN‑R1,其中x=1‑6,y=0‑13,z=0‑13,并且R1是C1‑C5烃。
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公开(公告)号:CN119343753A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202280096942.7
申请日:2022-06-14
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种用于在HAR蚀刻工艺期间形成高纵横比(HAR)结构的方法,该方法包括使衬底顺序地或同时地暴露于包括一种或多种氢氟烃或碳氟化合物或一种或多种含氢分子的蚀刻剂和添加剂化合物的蒸气,衬底具有设置在其上的膜和设置在膜上的图案化的掩模层;使等离子体活化以产生活化的一种或多种氢氟烃或碳氟化合物或活化的一种或多种含氢分子和活化的添加剂化合物;以及允许在图案化的掩模层未覆盖的膜与活化的氢氟烃或碳氟化合物或活化的一种或多种含氢分子和活化的添加剂化合物之间进行蚀刻反应以从图案化的掩模层选择性地蚀刻膜,从而形成HAR图案化的结构。
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公开(公告)号:CN116848215A
公开(公告)日:2023-10-03
申请号:CN202180093364.7
申请日:2021-12-16
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: C09K13/00
Abstract: 披露了用于在反应腔室中在高纵横比(HAR)蚀刻工艺期间在衬底中形成HAR结构的方法,该方法包括:使该衬底顺序地或同时暴露于包括氢氟烃或碳氟化合物的蚀刻剂和添加剂化合物的蒸气,该衬底具有设置在其上的膜和设置在该膜上的图案化的掩膜层;活化等离子体以产生活化的氢氟烃或碳氟化合物和活化的添加剂化合物;以及允许在该图案化的掩膜层未覆盖的该膜与该活化的氢氟烃或碳氟化合物和该活化的添加剂化合物之间进行蚀刻反应以从该图案化的掩膜层选择性地蚀刻该膜,由此形成HAR图案化的结构。
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