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公开(公告)号：CN106663624B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号：CN111816559B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
Abstract: 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
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公开(公告)号：CN106663624A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580031726.4
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 披露了波希蚀刻工艺中的cC4F8钝化气体的替代化学物质及使用这些化学物质的工艺。这些化学物质具有式CxHyFz，其中1≤x＜7，1≤y≤13，且1≤z≤13。这些替代化学物质可减少与深度硅孔蚀刻相关的RIE滞后。
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公开(公告)号：CN111816559A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010698443.8
申请日：2015-06-17
Applicant: 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/02 , C09K13/00 , C09K13/08
Abstract: 本发明涉及一种以类似速率蚀刻具有不同纵横比的孔的方法，该方法包括：a.用含氟蚀刻流体等离子体蚀刻含硅基板，形成经蚀刻的含硅基板，该经蚀刻的含硅基板包括具有一种宽度的孔和具有不相同的宽度的孔；b.通过等离子体处理不饱和含氢聚合物沉积流体来产生CaHbFc物种，这些物种的总量的大约50％至大约100％具有大于1:2的C:F比率，其中a＝1或2，b＝1或2且c＝1至3，从而在所述经蚀刻的含硅基板上沉积聚合物膜；c.重复步骤a和b以产生经蚀刻和聚合物沉积的含硅基板，其包括具有高纵横比的孔和具有低纵横比的孔。
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