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公开(公告)号:CN109256579A
公开(公告)日:2019-01-22
申请号:CN201711393071.2
申请日:2017-12-21
IPC: H01M10/04
Abstract: 根据本发明实施例的电池制造系统包括:多个模块化设备;多个物流接口;以及移送装置,用于向多个物流接口分别移送材料或对多个物流接口分别排出的产品进行移送。多个物流接口分别配备于多个模块化设备中,并将由移送装置移送的材料分别提供到多个模块化设备中,多个模块化设备分别排出产品。多个模块化设备包括:第一模块化设备,通过执行第一焊接工程而形成第一产品;第二模块化设备,通过对第一产品执行折叠工程而形成第一电池芯;第三模块化设备,执行将第一电池芯插入到管内的插入工程;第四模块化设备,通过对已插入第一电池芯的管执行第二焊接工程而制造管式电池;以及第五模块化设备,执行对管式电池进行检查的检查工程。
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公开(公告)号:CN112138905A
公开(公告)日:2020-12-29
申请号:CN202010596996.2
申请日:2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于半导体装置的制造设备,所述制造设备包括:旋转卡盘,其被配置为固定并旋转晶圆;喷嘴,其被配置为朝向晶圆喷洒化学试剂;横向位移传感器,其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时测量到的晶圆的侧表面位移变化;以及控制器,其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时通过使用位移变化来控制喷嘴的位置。
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公开(公告)号:CN119730344A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411107642.1
申请日:2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可包括:第一半导体结构,其包括第一衬底结构的上表面上的第一器件层,第一器件层包括半导体器件的第一区域;以及第二半导体结构,其包括第二衬底结构的下表面上的第二器件层,第二器件层连接到第一器件层并且包括半导体器件的第二区域。第一衬底结构可包括第一晶片和第一晶片上的第二晶片。第二晶片可与第一器件层接触。第二衬底结构可包括第三晶片和第三晶片的下表面上的第四晶片。第四晶片可与第二器件层接触。第二晶片的上表面可以是(100)晶面。
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公开(公告)号:CN112138905B
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202010596996.2
申请日:2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于半导体装置的制造设备,所述制造设备包括:旋转卡盘,其被配置为固定并旋转晶圆;喷嘴,其被配置为朝向晶圆喷洒化学试剂;横向位移传感器,其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时测量到的晶圆的侧表面位移变化;以及控制器,其被配置为在旋转卡盘正被旋转的同时通过使用位移变化来控制喷嘴的位置。
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公开(公告)号:CN110900436A
公开(公告)日:2020-03-24
申请号:CN201910653772.8
申请日:2019-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种抛光头包括:载体主体,可拆卸地固定到驱动轴并且具有贯穿载体主体以从载体主体的上表面延伸到载体主体的下表面的多个第一流体通道,第一流体通道的上端部布置成在围绕载体主体的中心轴的圆周方向上彼此间隔开;柔性膜,夹紧到载体主体的下部以形成多个加压腔室,其中,至少一个加压腔室被划分成在围绕柔性膜的中心轴的圆周方向上布置的多个子腔室,子腔室分别与第一流体通道的下端部流体连通;以及流体密封部分,在载体主体上,用于支撑载体主体以使载体主体能够旋转并使流体在密封状态下流入每个第一流体通道。
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公开(公告)号:CN119324150A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202410629537.8
申请日:2024-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
Abstract: 一种半导体处理设备包括:光产生器,其被配置为输出具有极紫外(EUV)波段的EUV光;掩模台,其被配置为放置反射从光产生器输出的EUV光的掩模;光接收光学单元,其包括通过反射从掩模反射的EUV光产生输出光的多个镜,所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于镜主体的表面的反射层;电源,其被配置为将偏置电压施加至反射层;以及衬底台,其被配置为放置要被输出光辐射的衬底。
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