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公开(公告)号:CN119324150A
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN202410629537.8
申请日:2024-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/68
Abstract: 一种半导体处理设备包括:光产生器,其被配置为输出具有极紫外(EUV)波段的EUV光;掩模台,其被配置为放置反射从光产生器输出的EUV光的掩模;光接收光学单元,其包括通过反射从掩模反射的EUV光产生输出光的多个镜,所述多个镜中的至少一个包括镜主体和附着于镜主体的表面的反射层;电源,其被配置为将偏置电压施加至反射层;以及衬底台,其被配置为放置要被输出光辐射的衬底。
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公开(公告)号:CN117995711A
公开(公告)日:2024-05-07
申请号:CN202310721157.2
申请日:2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 一种衬底处理装置,包括:腔室,提供被配置为处理衬底的空间;以及加热板,布置在腔室内,该加热板包括衬底板和液态金属图案,衬底板被配置为支撑衬底并具有从衬底板的中心沿径向方向顺序地布置的第一区域、第二区域和第三区域,液态金属图案在衬底板上被图案化并在第一区域、第二区域和第三区域上延伸,该衬底板是可拉伸的。
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