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公开(公告)号：CN100505267C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510082120.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金龙希
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7884 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L29/42324
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器及其制造方法。在具有存储单元阵列区和用于给存储单元阵列区提供电压的耦合带区的一种非易失性半导体存储器中，在存储单元阵列区中，沿行方向形成多条字线和多条源极线，并且在两条字线之间形成一条源极线。在耦合带区中，字线和源极线沿行方向延伸并且在不从存储单元阵列区的字线和源极线分离的情况下与其共线，以及每条字线和源极线中具有字线接触和源极线接触。
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公开(公告)号：CN1716612A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510082120.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金龙希
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7884 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L29/42324
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器及其制造方法。在具有存储单元阵列区和用于给存储单元阵列区提供电压的耦合带区的一种非易失性半导体存储器中，在存储单元阵列区中，沿行方向形成多条字线和多条源极线，并且在两条字线之间形成一条源极线。在耦合带区中，字线和源极线沿行方向延伸并且在不从存储单元阵列区的字线和源极线分离的情况下与其共线，以及每条字线和源极线中具有字线接触和源极线接触。
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公开(公告)号：CN100416821C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200410055216.4
申请日：2004-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5%至近似15%。
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公开(公告)号：CN1574341A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410055216.4
申请日：2004-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5％至近似15％。
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