公开(公告)号：CN114943677A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210070494.5

申请日：2022-01-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  奥普特玛股份有限公司

Inventor： 崔敏镐 ,  安道俊 ,  金镇宇 ,  秋山哲 ,  柳在永 ,  李启荣

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/90 ,  G06T5/00

Abstract: 公开了一种缺陷检测方法以及利用其的半导体装置的制造方法。所述缺陷检测方法中，在台面上布置基板。利用光扫描所述基板表面而获得二维图像。从所述二维图像检测缺陷位置。在与所述缺陷位置对应的各个像素上执行强度分布处理而生成三维图像信息。根据所述三维图像信息显示三维映射图。

公开(公告)号：CN1574341A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5％至近似15％。

公开(公告)号：CN100416821C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5%至近似15%。