公开(公告)号：CN115017092A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210207376.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  朴埈奭 ,  李钟振 ,  张虎郎

IPC: G06F15/78 ,  G06F1/26

Abstract: 提供了电子设备和控制电子设备中的电源的方法。一种电子设备，包括片上系统(SoC)和电源管理集成电路(PMIC)。该SoC包括多个电源域以及对该电源域执行动态电压和频率缩放(DVFS)的DVFS控制器。该PMIC包括直流(DC)‑DC转换器以及控制多个DC‑DC转换器的控制逻辑，并且所述DC‑DC转换器的每个将对应的输出电压提供给该电源域中的相应的电源域。该控制逻辑将提供具有目标电平的目标输出电压的目标DC‑DC转换器指定为全局DC‑DC转换器，并且通过共享由该全局DC‑DC转换器提供的目标输出电压，将目标输出电压提供给多个电源域之中对应于全局DC‑DC转换器的电源域以及消耗目标输出电压的至少一个第一电源域。

公开(公告)号：CN100416821C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5%至近似15%。

公开(公告)号：CN1574341A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410055216.4

申请日：2004-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴翔煜 ,  侑在珉 ,  权喆纯 ,  金镇宇 ,  朴在铉 ,  金龙希 ,  李燉雨 ,  金大根 ,  金周灿 ,  金国珉 ,  柳义烈

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有增强测量可靠性的测量图案的半导体器件以及利用该测量图案测量半导体器件的方法。该半导体器件包括具有其中形成有集成电路的芯片区和围绕芯片区的划线区的半导体衬底。该半导体器件还包含：形成于划线区中的测量图案，其具有表面截面区以包含在其中投射测量光束的光束区；和形成于测量图案中以缩减测量图案的表面截面区的虚设图案。虚设图案的表面截面区占光束区的表面截面区的近似5％至近似15％。