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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102891160A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210256528.6
申请日：2012-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/382 , H01L2224/16245
Abstract: 提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN114551692A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111394434.0
申请日：2021-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种发光二极管(LED)封装件和电子装置。所述LED封装件包括：衬底，其包括成对的第一布线电极和成对的第二布线电极；衬底上的LED芯片，LED芯片电连接至成对的第一布线电极；LED芯片上的波长转换膜；波长转换膜上的电致变色膜，电致变色膜电连接至成对的第二布线电极，并且电致变色膜被配置为在施加电压之前具有第一颜色并且在施加电压之后变透明；电致变色膜上的光学透镜；以及侧结构，其包括覆盖LED芯片和波长转换膜中的每一个的侧表面的至少一部分的反射层以及在反射层上并且具有第二颜色的颜色层。
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公开(公告)号：CN114815240A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111518341.4
申请日：2021-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 增强现实眼镜包括：左眼镜片部和右眼镜片部，左眼镜片部和右眼镜片部中的每一个具有被配置为显示增强现实图像的显示区域和围绕显示区域的跟踪区域，跟踪区域包括被配置为发射具有在红外波段中的波长的光的多个发光部；以及框架，其包括左眼镜片支承区域、右眼镜片支承区域和连接左镜片支承区域和右镜片支承区域的鼻梁架，左眼镜片支承区域支承左眼镜片部，右眼镜片支承区域支承右眼镜片部。
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公开(公告)号：CN109473377A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811026092.5
申请日：2018-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6838 , G05B2219/45031 , G06T7/73 , H01L21/67011 , H01L21/67144 , H01L21/677 , H01L21/682 , H01L33/0095
Abstract: 一种半导体制造设备包括：具有真空卡盘的传送头，所述真空卡盘构造成真空地保持发光元件芯片；和真空泵，其构造为向所述传送头提供真空压力，其中所述真空卡盘包括多孔材料层和所述多孔材料层上的缓冲层，并且所述缓冲层包括多个突起和真空孔，所述真空孔从所述缓冲层的与所述多孔材料层接触的表面延伸到所述突起的下表面。
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公开(公告)号：CN103426982A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310196886.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。
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