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公开(公告)号：CN119584536A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410855186.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H10B12/00 , H01L23/544
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体器件包括：在横向方向上延伸的字线；与字线分开的感测线，感测线在垂直方向上与字线重叠并且在横向方向上延伸；垂直半导体结构，在垂直方向上穿过字线和感测线，垂直半导体结构具有在横向方向上面向字线的垂直沟道区；以及在垂直沟道区和字线之间的栅极电介质膜。垂直半导体结构包括在垂直方向上顺序提供的第一导电类型的第一重掺杂膜、第二导电类型的第一轻掺杂膜、第一导电类型的第二轻掺杂膜和第二导电类型的第二重掺杂膜。
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