-
公开(公告)号：CN119584536A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410855186.2
申请日：2024-06-28
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H10B12/00 , H01L23/544
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体器件包括：在横向方向上延伸的字线；与字线分开的感测线，感测线在垂直方向上与字线重叠并且在横向方向上延伸；垂直半导体结构，在垂直方向上穿过字线和感测线，垂直半导体结构具有在横向方向上面向字线的垂直沟道区；以及在垂直沟道区和字线之间的栅极电介质膜。垂直半导体结构包括在垂直方向上顺序提供的第一导电类型的第一重掺杂膜、第二导电类型的第一轻掺杂膜、第一导电类型的第二轻掺杂膜和第二导电类型的第二重掺杂膜。
-
公开(公告)号：CN110880537B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811307944.8
申请日：2018-11-05
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L29/792 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开排列电路。根据本发明的一实施例，排列电路包括反馈场效应电子器件的源极区域和辅助电子器件的漏极区域串联的多个反馈场效应排列器件，反馈场效应电子器件与位线及第一字线相连接，辅助电子器件与源线及第二字线相连接，向第一字线施加在第一栅极电压或第二栅极电压中的一个来存储第一逻辑状态的数据或第二逻辑状态的数据。
-
公开(公告)号：CN112418414A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201911132679.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及为了小面积和低耗能而使用单栅极的反馈电场效电子器件(FBFET)的新整合放电神经元电路(integrate‑and‑fire(IF)neuron circuit)，在一实施例的神经元电路中，通过电容器充电从突触输入的电流来生成电势(potential)，若生成的上述电势大于阈值，则利用连接于上述电容器的单栅极的反馈电场效电子器件生成与生成的上述电势相对应的刺突电压并输出，利用连接于上述反馈电场效电子器件的多个晶体管来复位生成的上述刺突电压。
-
公开(公告)号：CN113887713A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110186225.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及使单硅器件非周期性或周期性产生尖脉冲的包括单硅器件的尖脉冲发生电路，尤其，涉及如下的包括单硅器件的尖脉冲发生电路，即，通过互相关联地利用正反馈环与负反馈环，来选择性地输出与类似于生物振荡的神经振荡功能相关的尖脉冲，从而能够进行环形振荡器及神经元功能动作。
-
公开(公告)号：CN112801284A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202010583711.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 高丽大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及为了少面积和低功耗而利用p‑n‑p‑n二极管的无电源神经元电路(neuron circuit)，根据一实施例的神经元电路通过电容器来将从突触输入的电流进行充电来生成电势，若所生成的上述电势大于阈值，则可利用与上述电容器相连接的p‑n‑p‑n二极管来生成与所生成的上述电势相应的脉冲电压并输出。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112418414B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN201911132679.9
申请日：2019-11-19
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及为了小面积和低耗能而使用单栅极的反馈电场效电子器件(FBFET)的新整合放电神经元电路(integrate‑and‑fire(IF)neuron circuit)，在一实施例的神经元电路中，通过电容器充电从突触输入的电流来生成电势(potential)，若生成的上述电势大于阈值，则利用连接于上述电容器的单栅极的反馈电场效电子器件生成与生成的上述电势相对应的刺突电压并输出，利用连接于上述反馈电场效电子器件的多个晶体管来复位生成的上述刺突电压。
-
公开(公告)号：CN110880501B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201811315731.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 高丽大学校产学协力团
Abstract: 本发明公开转位反馈场效应电子器件及利用其的排列电路。根据本发明的一实施例，本发明包括二极管结构体、多个栅极及多个接近电子器件，当上述二极管结构体通过上述多个栅极中的第一栅极和上述多个接近电子器件中的第一接近电子器件接收电压时执行第一方向接近，当通过上述多个栅极中的第二栅极和上述多个接近电子器件中的第二接近电子器件接收电压时执行第二方向接近。
-
公开(公告)号：CN110880537A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201811307944.8
申请日：2018-11-05
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L29/792 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开排列电路。根据本发明的一实施例，排列电路包括反馈场效应电子器件的源极区域和辅助电子器件的漏极区域串联的多个反馈场效应排列器件，反馈场效应电子器件与位线及第一字线相连接，辅助电子器件与源线及第二字线相连接，向第一字线施加在第一栅极电压或第二栅极电压中的一个来存储第一逻辑状态的数据或第二逻辑状态的数据。
-
公开(公告)号：CN117374126A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310813426.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星显示有限公司 , 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L27/12
Abstract: 公开了一种晶体管，所述晶体管包括有源层和栅电极。有源层包括：第一导体层，包括金属原子；半导体材料层，设置在第一导体层上方；以及第二导体层，设置在半导体材料层上方，并且包括金属原子。栅电极与有源层的部分叠置，并且与有源层电绝缘。
-
公开(公告)号：CN101252148B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810007252.1
申请日：2008-02-20
Applicant: 高丽大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/40 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 本发明涉及非易失性(nonvolatile memory)电子器件(electronic device)及其制作方法，使纳米粒子(nanoparticle)吸附到纳米线表面上的穿隧层上，在该纳米线(nanowire)表面沉积有穿隧层(Tunneling layer)。而且，通过构成使用为电荷迁移通道(charge transport channel)的半导体(semiconductor)纳米线和使用为电荷陷入层(charge trapping layer)半导体纳米粒子，使得经由纳米线转移的电荷通过栅压(gate)穿隧至纳米粒子上，再根据栅压变化从纳米粒子穿隧至纳米线上。本发明涉及根据如上所述的纳米线和纳米粒子的特点采用能够以低电压运行并且能够加快运行速度的纳米线和纳米粒子的非易失性电子存储器件及其制作方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.037 seconds)
