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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN116437659A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211497622.0

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亮阧 , 金容焕 , 朴相郁 , 朴盛铉 , 朴珍荣 , 徐旻揆 , 洪定杓

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：衬底，包括存储单元区；多个电容器结构，布置在衬底的存储单元区中，并且包括多个下电极、电容器介电层和上电极；第一支撑图案，接触多个电容器结构的多个下电极的侧壁，以支撑多个下电极；以及第二支撑图案，位于比第一支撑图案的竖直高度高的竖直高度处，并且接触多个下电极的侧壁，以支撑多个下电极。多个下电极分别在多个下电极的上部中具有多个电极凹入部。

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