公开(公告)号：CN1812074A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510129423.4

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。

公开(公告)号：CN100576494C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200610007141.1

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  李宣姃 ,  李承珍

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。

公开(公告)号：CN1976002A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610143580.5

申请日：2006-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 金在鹤 ,  朴玩哉 ,  林义雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供了一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括使用灰化工艺从低k材料中的凹形去除材料，而且在凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖凹形中的低k材料。

公开(公告)号：CN1835206A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610007141.1

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  李宣姃 ,  李承珍

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。

公开(公告)号：CN1649126A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN1306590C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。

公开(公告)号：CN1624897A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410100189.8

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在鹤 ,  文永俊 ,  李敬雨 ,  黄晸郁

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。

公开(公告)号：CN1495879A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。

公开(公告)号：CN100501969C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200510129423.4

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。

公开(公告)号：CN100376026C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。该方法包括：在衬底上形成介电常数为3.3或更小的混合介电层；在介电层中形成通孔；用无碳无机填料填充通孔；部分蚀刻填充通孔的无机填料和介电层，形成沟槽，该沟槽连接通孔，并且将在该沟槽中形成互连；除去通孔中剩余的无机填料；以及通过用互连材料填充沟槽和通孔来完成互连，其中所述混合介电层由既有有机材料优点又有无机材料优点的混合电介质制成。