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公开(公告)号：CN100501969C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510129423.4
申请日：2005-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 本发明公开了一种双金属镶嵌互连结构的方法和半导体器件的方法。在形成双金属镶嵌互连结构的方法中，使用了一种含生孔剂(气孔形成剂)的牺牲材料来填充层间介电层中的通孔，从而可以将牺牲材料转变为可以容易地从通孔去除而不损伤或去除层间介电层的多孔牺牲材料。
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